集成差分式PH-ISFET的研究

本文扼要地叙述了集成差分式氢离子敏感器的原理、制备和特性。由于具有温度补偿作用的M OSFET 与ISFET 集成在同一芯片上,显著地降低了共模噪声和温度的影响,并保持了良好的灵敏度、线性和选择性等性能指标。

等离子体聚合膜的制备及在ISFET中的应用

本文叙述了用等离子体辉光放电法将单体直接聚合成高分子膜,及淀积在半导体器件样品上的制备设备、方法、性能及应用结果。由于设备简单,操作方便,同半导体工艺相容及聚合膜有良好的抗水性及抗离子性,它在离敏器件中有一定的应用价值。预计在其它器件中也有推广的价值。