用正电子湮没技术研究BaF_2的辐射损伤

用正电子湮没技术研究了BaF_2晶体经不同剂量辐照后的湮没参数。在大剂量(1.7kGy)辐照后,BaF_2的正电子湮没寿命谱及一维角关联曲线都发生了变化,这说明辐照使晶体结构发生了某种变化。辐射损伤可以恢复,且曝光处理可以加速其性能的恢复。