碳纤维增强铜基(碳/铜)复合材料的研究现状与展望

概述了国内、外碳/铜复合材料制造工艺;短碳纤维与铜合金粉末的混合;碳/铜复合材料的成型工艺等。

Bragg光纤光栅色散补偿的理论分析与研究

阐明了光纤的色散即脉冲的展宽这一基本概念；从光的波动理论出发，导出了Bragg光纤光栅色散的基本方程；讨论了Bragg光纤光栅的色散补偿特性和它的局限性。

线性啁啾布拉格光纤光栅的色散补偿特性研究

本文将全面分析ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光纤光栅的色散特性，并对色散特性作一定性分析。利用耦合模方程导出ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光栅的反射率方程，从而推导出ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光纤光栅的色散计算公式。然后，引入微波领域的“品质因素”概念，从而量化了色散补偿器的补偿能力。

慢正电子技术研究ZrO_2(Y_2O_3)薄膜的温度效应

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀。

Chirped Bragg 光纤光栅色散补偿研究

分析ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光纤光栅的色散特性，并作一定性分析．利用耦合模方程导出ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光纤光栅的反射率方程，从而推导出ＣｈｉｒｐｅｄＢｒａｇｇ光纤光栅的色散计算公式，并用数值分析画出它们的响应曲线．

S异步恒延伸轧制产品B_2F钢的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了PV-E轧制产品B_2F钢,测得了正电子寿命与轧制压力及机械性能间的对应关系,为PV-E轧制工艺提供了依据。实验表明,轧制过程中B_2F钢中存在大量位错和空位团缺陷,且正电子寿命与速比有一定对应关系,揭示了速比对机械性能的影响。

关于莫来石的正电子湮没研究

<正>对于合成莫来石,大多数通过显微镜、扫描电镜进行定性分析,至今未找出一种较合理适用的方法来描述合成莫来石的显微结构。本文采用正电子湮没技术研究这一问题。1.实验方法与结果 本文工作用烧结法合成莫来石,工艺为配料、细磨混合、成型、烧结。按原料Al_2O_3/SiO_2的不同配比,制成HM3,HM4,A,B_2,HM5,B,HM6共7组不同的试样,样品为φ12×2（mm）的圆片。烧结温度分别为1600℃,1650℃,1700℃,均保温3h。莫来石的分子式为3Al_2O_3·2SiO_2。 莫来石的合成原料化学组成见表1.表1中只给出了6组,样品成分是通过化学分析的方法获得的,Al_2O_3/SiO_2指的是它们的重量比。

变迹啁啾Bragg光纤光栅的矩阵分析

本文用传输矩阵法分析了各种变迹与线性啁啾 Bragg光纤光栅的响应特性 ,构造了各种变迹函数 ,进行了比较 .分析了变迹函数、啁啾系数、折射率变化量以及光栅长度对反射带宽、最大反射率的影响 .找到了最佳变迹函数和量佳啁啾系数 .特例中的数值分析表明 ,补偿 1 0 0 km光纤色散带宽为 1 nm的最佳光栅长度是 1 40 mm,最佳啁啾系数为 0 .0 4 8nm/ cm.

染色机数学模型及计算机模拟

本文根据纺织物染色工艺过程中所遵循的热量平衡和质量平衡基本关系,提出了纺织物染色过程实现微机数模控制的数学模型,并以国内典型的常温常压式染色机典型温度曲线为例,作了计算机数学模拟研究,获得了染色机升温、降温、保温等过程所需的加冷水量、蒸汽量、排水量随时间的变化关系曲线,为染色机实现微机数模控制提供了理论依据。

类金刚石薄膜的慢正电子分析

采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明，单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜一基之间存在一很宽的界面层，界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低，到达薄膜心部后，缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C2H2含量的升高而单调增大，但C2H2含量对界面层宽度没有影响．

ZrO_2薄膜的表层结构

用射频溅射技术制备了ＺｒＯ２ 薄膜，用慢正电子束分析该薄膜，发现它的表层存在一高正电子吸收区，它与钇的表面富集有关，提出了相应的模型。

a-C:H(N)薄膜的慢正电子分析

采用C2H2和N2的混合气体在单晶Si衬底上用射频一直流等离子化学气相沉积法制备a－C：H（N）薄膜，用Fourier红外谱研究了a-C：H（N）薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及N的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Fourier红外测试结果表明，a－C：H（N）薄膜中氮含量随混合气体中N2百分含量的升高而增大，薄膜中碳氮原子形成C≡N键。慢正电子分析表明．单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低，且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜一基之间存在一很宽的界面层。a-C：H（N）薄膜的缺陷浓度随N含量的增加而增大，但含饲量不改变薄膜中的缺陷类型。

平方型啁啾光纤光栅高阶色散补偿器的理论设计

对周期保持恒定，而其有效折射率大小随其长度按平方律变化的啁啾光纤光栅提出了一个理论设计模型．从该模型出发，得到了光栅有效折射率分布函数与光栅色散量之间的关系．最后将该模型的计算结果与传输矩阵法的计算机模拟结果进行了比较，二者基本上一致．

线性啁啾布拉格光纤光栅的优化设计研究

根据线性啁啾布拉格反射光纤光栅的一般原理，探讨了不同啁啾系数、准高斯耦合函数对布拉格反射光栅的反射率及色散补偿特性的影响，结果表明增大啁啾系数以及选取适当的准高斯耦合函数在保证反射率较大的情况下，能有效地改善色散补偿特性，并建立了设计反射率增益高、色散补偿幅度宽且平坦的线性啁啾布拉格光纤光栅的优化设计思想．

微机染色控制系统设计

1 系统硬件结构 a.计算机部分（图1）。控制系统由加强型CMOS八位微处理器HD64180,两个28脚存储器插座,一个RS422串行口,一个RS423-A/RS232-C串行口和一个传感器及控制电路组成。

同步轧制与异步轧制B_3F钢的正电子寿命研究

本文用正电子湮没技术研究了同步轧制与异步轧制B_3F钢的机械性能;说明了异步轧制可以减小轧制力,提高机械性能;发现了样品的抗拉强度与正电子寿命之间存在着一定的关系.

40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程研究

用正电子湮没技术、差热分析和X射线衍射等方法研究了40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程.实验发现,在孕育期正电子平均寿命出现一反常增高,在此之前,正电子寿命是稳定的,在晶化开始后,正电子平均寿命减小并有涨落.这些结果与电子率测量、差热分析曲线相对应.

The Analysis and Research of Chirped Bragg Fiber GratingTheory on Dispersion Compensation

Based on the general theory of linear Chirped Bragg fiber grating, this paper discusses some parameters including different chirped values and quasi gauss coupling function relating with the reflectivity coefficient dispersion compensation.The result shows that selecting larger chirped value and appropriate qusi guass coupling function can improve the dispersion compensation while ensuring high reflectivity. The concept of "figure of merit" in the microwave field is introduced to quantize the equalizing power of the dispersion compensator.

第2系列ZrO_2(Y_2O_3)薄膜的慢正电子研究

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,衬底加热 30 0℃ ,纯Ar气氛下制备的用Y2 O3 稳定的ZrO2 薄膜材料 (简称YSZ薄膜 ) ,发现了YSZ薄膜在不同深度处的缺陷分布情况 ,退火温度对YSZ薄膜缺陷有影响 .简要讨论了致密、优质YSZ薄膜的制备方法 .