p型GaN的渐变δ掺杂研究

采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20。分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率。实验还发现,经过750℃下15 min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3。

高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器(英文)

第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA.

GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展

GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。

蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.

Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列

报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。

高温AlN模板上p型GaN的生长研究

利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178″,其空穴氧浓度为5.78×1017cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017cm-3.

二次退火对P型GaN的应变影响

采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性。

蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长

采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。

多象限光探测器组件研究

介绍了多象限探测器光敏面的设计,讨论了简易制导用多象限光探测器组件的特点。设计了一种新型九象限探测器及其组件,结果表明该器件具有响应速度快、抗冲击能力强等特点。

六角相GaN外延膜的高分辨X射线衍射分析研究

通过实例介绍运用高分辨X射线衍射分析技术对GaN异质外延薄膜材料的微结构进行研究，希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模型对其结构特性参数影响方面的信息，为GaN材料和器件制备者提供有用的参考。

光电探测器组件辐照后性能退化的噪声表征

本文用爆裂噪声表征总剂量电离辐射(TID)对光电探测器组件的损伤情况。通过对辐照前后的光电探测器组件进行噪声测试,然后对比分析其结果。实验结果表明,总剂量辐照后,相对于辐照前,光电探测器组件内部明显出现了爆裂噪声,即组件内部出现了大量缺陷,导致组件的可靠性降低。

基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统的设计

设计并实现了一种基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统。该系统以120元Si-PIN探测器作为光电传感器,将其排列为正方形,由120路光电转换电路将每个光电传感器采集到的电流信号转换为电压信号并与预先设置的阈值电平进行比较,以判断该点探测器是否探测到光信号,在CPLD时序控制下将每个探测器的响应情况通过数据采集电路实时传送至上位机。将探测器阵列组件放置在指定位置,通过调节光源位置直至上位机反映的图像为对准后的形式,由此实现光斑辅助定位。经测试表明,该系统能实现240mm×240mm大面积、精度2mm的光斑位置实时探测和辅助定位,且相对传统方式更加简单可行。

Noise Characteristics of Optocouplers on Neutron Radiation

中子剂量放射实验被设计学习 optocoupler 的排水量效果和噪音特征。爆炸噪音在中子放射上在 optocouplers 被介绍，它从实验被显示。与在空间费用区域的排水量缺点增加的增加的中子放射，散布提高并且噪音信号变化增加。都，这些代表噪音时间系列变化，随机的脉搏和增加的噪音复杂性。爆炸噪音变得明显，并且力量光谱密度，典型频率和噪音的时间系列的分数维的尺寸极大地增加。