FDTD法分析高速集成电路芯片内互连线

本文首次利用时域有限差分 (FDTD)法分析了高速集成电路芯片内半导体基片上的有耗互连传输线的电特性 .文中提出了有耗吸收边界条件 ,推导了不同媒质交界面上的边界条件通用格式 .在FDTD分析的基础上 ,得到传输线各种参数的频变特性 ,为芯片内电路模拟提供了可靠的参数 .

高速IC芯片内互连线频变参数的有效提取方法

采用二维时域有限差分（２Ｄ－ＦＤＴＤ）法精确计算了高速集成电路芯片内互连线的频变等效电路参数．有耗吸收边界条件和非均匀渐变网格技术的提出和应用减少了空间网格的数目，用时间序列预测的方法来预测时域信号或提取传输线频域参数大大减少了ＦＤＴＤ模拟时间，明显提高了计算效率．传输线特性的计算考虑了导体和硅基片损耗，计算结果与其他方法及测量结果比较，一致性较好．

一种时间序列预测方法在二维时域有限差分法中的应用

本文将一种时间序列预测方法与二维时域有限差分(FDTD)法相结合,并应用于均匀微波平面传输线的特性参数计算。该混合方法特别适用于尺寸很细微的MMIC传输线,而且可以精确地计算非理想导体的损耗。与传统的FDTD法相比,大大节约了计算时间,提高了效率。计算结果与测量非常一致。