背面熔化对颗粒硅带表面质量的改善

衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响。为获得高质量的衬底,我们改进了SSP的制备方式。将制备的SSP硅带进行背面熔化后,硅带背面的表面质量得到大幅改善,晶粒明显增大。通过SEM和金相显微镜观察,对两种SSP进行了比较,分析了产生这些变化的原因,并讨论了改进建议。

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高.

基于半残次硅片的太阳电池性能研究

选取了在硅片加工过程中产生的线痕片、厚片、薄片、崩片和TTV片共5种类型的半残次硅片,制备了太阳能电池,并在中山大学太阳能系统研究所进行了太阳电池片的实验研究,分析了这些残次片电池的开路电压、短路电流、填充因子、转换效率,研究结果表明,半残次硅片所制备的太阳电池性能良好:这些电池片的平均转换效率都达到了15.80%以上,填充因子可达73.98%,短路电流在5.10～5.28A之间,开路电压在0.62V以上,对于降低太阳电池成本具有一定参考价值.

SiN_x∶H/Al复合膜层在背点接触太阳电池中的应用

尝试将SiNx∶H/Al复合膜层应用到晶体硅太阳电池的背部结构上。首先利用PECVD在硅片背面沉积一层SiNx∶H薄膜,然后在SiNx∶H薄膜上丝网印刷Al层,构成SiNx∶H/Al复合膜层。研究了具有SiNx∶H/Al复合膜层结构的硅片的光学内背反射性能,测得其内背反射率达88.9%。并从理论上设计出基于SiNx∶H/Al复合膜层的背点接触太阳电池最优结构,并从实验上制备出这种背点接触太阳电池,初期效率达12.36%。最后,提出了背点接触太阳电池工艺的改进方案。