自旋半导体纳米热电材料器件的高自旋极化电流

借助第一性原理设计了一种可以产生高自旋极化电流的自旋热电装置.该装置是由有源极(B掺杂后的石墨烯纳米带)、漏极(石墨烯纳米带)以及中间区域(碳原子链)构成.对比未掺杂情况,自旋向上的电流在高温区域可以提高100倍,同时自旋极化率可增强至接近1.而且自旋流在高温区域可以大于电荷流,其主要原因归结于掺杂后该装置表现为自旋半导体性质.

含过渡金属分子器件中的单自旋负微分热电阻效应

基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了由锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)与含过渡金属(Tm)(=Cr,Mn,Fe和Ru)分子构成的器件的自旋过滤输运性质.研究结果表明单自旋的波函数失配使其在费米能级附近具有完美的自旋过滤特性,并在温度梯度下,由于费米能级附近的单自旋透射峰的Fano不对称性,导致含Ru的分子器件中的单自旋电流表现出明显的负微分热电阻效应(NDTR).