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HfO2含量对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响
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作者 王振 樊惠强 +2 位作者 李亚 郁秋峰 姚国华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期11-13,共3页
针对Pb(Sb,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0108Zr0.50Ti0.42O3+1.5%(质量分数)MnO2三元系压电陶瓷的晶相结构、微观形... 针对Pb(Sb,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0108Zr0.50Ti0.42O3+1.5%(质量分数)MnO2三元系压电陶瓷的晶相结构、微观形貌和电性能的影响。同时分析了ZrO2原料中HfO2杂质的成因。结果表明:HfO2在该三元系压电陶瓷中属于无害但无用的杂质。通过调整ZrO2配料含量,可以使其Δf控制在合格范围内(7.0—8.0kHz),而且其他的电性能基本保持不变。 展开更多
关键词 无机非金属材料 ZRO2 HFO2 压电陶瓷 稳定性
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