半导体Bi_(2)Te_(0.5)Se_(2.5)热电薄膜的制备与表征

为了制备高热电性能的薄膜材料,将掺杂策略和低维化策略相结合,运用电化学方法,在硝酸溶液中,采用恒电位沉积技术在ITO导电玻璃表面制备了Bi_(2)Te_(0.5)Se_(2.5)半导体热电薄膜材料。运用XRD对制备的薄膜物相进行检测,通过SEM对薄膜的表面形貌进行观察、用台阶仪测薄膜的膜厚、霍尔效应测试仪检测薄膜的热电性能参数。结果表明,所制备的薄膜是Bi_(2)Te_(0.5)Se_(2.5)材料,薄膜表面呈现“白菜叶”般的形貌,高倍扫描电镜照片可以看到,薄膜具有枝晶状的结构,这种结构对应于晶粒的长大速率大于成核速率。热电性能测试结果表明,制备的薄膜是N型半导体材料,功率因子是45.002μW/mK^(2)。

热电Bi2Se0.3Te2.7/Te异质结构纳米线阵列的制备与表征

硝酸溶液中运用脉冲电化学方法,在ITO导电玻璃表面成功制备了热电Bi2Se0.3Te2.7/Te异质结构多层纳米线阵列材料。运用XRD对制备的样品物相进行表征,通过FE-SEM和TEM对样品的表面形貌进行观察。研究结果表明,所制备的材料是热电Bi2Se0.3Te2.7/Te异质结构纳米线阵列;多层纳米线直径为大约200~250 nm。从高倍透射电镜照片可以看出,多层纳米线具有周期性的结构,并且可以清晰地辨认出Bi2Se0.3Te2.7和Te两相的分界面。选区电子衍射(SAED)结果进一步证实了所制备的样品非单一相,体现了异质结构材料的本质。研究结果为制备其它多层异质结构纳米线阵列材料指明了方向。