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分子整流器件整流原理分析
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作者 郎远涛 黄宗浩 《吉林工学院学报(自然科学版)》 1993年第2期67-70,共4页
本文以电荷守恒定律为基础,讨论了由四氰基对二次甲基苯醌(TCNQ)和四硫代富瓦稀(TTF)为主体的分子器件的通导机理;采用量子化学自洽场计算方法,计算了它们的中性分子对和正负离子对的能量以及电子结构;并在此基础上讨论了该分子器件的... 本文以电荷守恒定律为基础,讨论了由四氰基对二次甲基苯醌(TCNQ)和四硫代富瓦稀(TTF)为主体的分子器件的通导机理;采用量子化学自洽场计算方法,计算了它们的中性分子对和正负离子对的能量以及电子结构;并在此基础上讨论了该分子器件的整流原理及筛选适于制作分子整流器件的分子的条件。 展开更多
关键词 分子电路 分子器件 量子化学 电离能 亲合势 分子整流器件 整流原理
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新型高分子电致发光材料——聚对苯乙炔 被引量:14
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作者 黄宗浩 谢德民 +1 位作者 王荣顺 郎远涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第2期97-99,共3页
本文介绍了国际上最新发现的高分子电致发光材料——聚对苯乙炔的性能、合成路线及应用前景。同时也探讨了该材料的发光机理和改变其发光颜色的途径。
关键词 高分子材料 电致发光 聚对苯乙炔
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长
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作者 孟庆巨 吴连民 +3 位作者 黄瑛 杨慧 陈佰军 郎远涛 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第3期75-81,共7页
本文利用改进了的热壁外延装置,在GaAs衬底上外延生长了GdTe,ZnSe,ZnSSe,ZnS等半导体单晶薄膜,ZnSe/ZnS,ZnSSe/ZnSe异质结构和ZnS/ZnSe,ZnSSe/ZnSe超薄层、多层结构。... 本文利用改进了的热壁外延装置,在GaAs衬底上外延生长了GdTe,ZnSe,ZnSSe,ZnS等半导体单晶薄膜,ZnSe/ZnS,ZnSSe/ZnSe异质结构和ZnS/ZnSe,ZnSSe/ZnSe超薄层、多层结构。SEM,EMPA,XRD及PL等分析测试结果表明,所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。 展开更多
关键词 热壁外延生长 半导体薄膜 外延生长
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