压力对CoSb_(2.750)Te_xGe_(0.250-x) n型方钴矿化合物的电输运性能的影响

采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750 TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律。室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析。电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750 TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低。功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高。CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm.K2)。

压力对稀土元素Sm填充方钴矿化合物热电性能的影响

通过高温高压方法合成出稀土元素Sm填充n型方钴矿化合物SmxCo4Sb12（0〈x〈1）,并考察了在室温下Sm填充率对热电性能的影响规律.结果表明：SmxCo4Sb12化合物表现为n型传导;电阻率和Seebeck系数随着合成压力的增加逐渐增加;晶格热导率随着Sm填充分数的增加而降低,在Sm填充量为0.5时达到最小值.室温下Sm0.5Co4Sb12化合物显示最大热电性能指数,其最大无量纲热电性能指数ZTmax值达到0.16.

高压下硅铁合金合成探究

采用高压手段,探究合成铁硅金属间化合物。采用X射线衍射仪(XRD)研究了合成时间、合成压力等实验参数对Fe-Si合金相组成的影响。

Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x的高压合成及其电学性质

在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高。在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba_(0.32)Co_4Sb_(11.9)Te_(0.1)化合物功率因子达到最大值(9.7μWcm^(-1)K^(-2))。

HPHT synthesis and electrical transport properties of Sm_xCo_4Sb_(12)

Samarium-filled skutterudites SmxCo4Sb12(x=0.5,1.0) skutterudite thermoelectric(TE) materials with enhanced power factor were prepared by high-pressure and high-temperature(HPHT) technique.The microstructure properties were characterized with X-ray diffraction and scanning electron microscopy.The electrical resistivities and Seebeck coefficients of those samples were measured in the temperature range of 300-723 K,and the samples of SmxCo4Sb12 showed n-type conduction.The Seebeck coefficient in absolute valu...