电力变压器的节能分析

本文从选用节能型变压器、合理选择变压器容量及台数、平衡负荷、提高变压器功率因数等方面来阐述电力变压器的节能可行性及方法。

Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展

理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。

电动机节能技术探讨

提高电动机的效率已成为节能降耗、降低生产成本的重要手段,文章从分析电动机的选择、起动装置、调速方式等方面入手,介绍了电动机的选择及使用过程中可采用的各种节能降耗方法。

AIGaInP系LED工艺进展分析

从外延工艺和芯片工艺上,对AIGa In P系LED在提升外量子效率的各种方法做了分析,探讨了各种工艺目前存在的优势和缺点。以期为Ga As基AIGa In P LED的发展提供理论依据。

GaAs基AlGaInP发光二级管亮度提升研究

文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管,通过外延中各层结构优化来提升亮度。研究表明,采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳GaP厚度,能更大幅度提升LED的亮度。制备的外延片制作成6mil*6mil尺寸的芯片,采用20mA测得轴向光强为120.6mcd,这与常规结构10mil*10mil的亮度一致。

Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究

采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,用低温Ge缓冲层技术在Si衬底上外延了张应变Ge薄膜。扫描电镜(TEM)图表明Si基外延Ge薄膜拥有低的位错密度,原子力显微镜(AFM)测试Ge层表面粗糙度仅为1.2 nm。对Si基外延Ge薄膜进行了不同温度下的退火,并用双晶X射线衍射(DCXRD)曲线和Raman谱进行表征。结果表明,Si基外延Ge薄膜受到的张应变随退火温度呈线性增加,当退火温度达到850℃时Si和Ge发生严重的互扩散,这种互扩散改变了室温PL谱,影响外延Ge薄膜特性。

硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长

利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm^2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.

N型掺杂应变Ge发光性质

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟.

复合分布式布拉格反射镜结构AlGaInP发光二极管

采用金属有机化学气相沉积系统外延了具有三个不同反射中心波长的AlAs/Al0.5Ga0.5As复合分布式布拉格反射镜(DBR),利用透射电镜、X射线衍射仪表征其结构、厚度和组分,利用白光反射谱表征其反射谱强度和带宽。结果表明:该复合DBR比常规DBR和两个反射中心波长复合DBR具有更高的反射谱强度和更宽的带宽。利用该复合DBR制备了AlGaInP发光二级管(LED),尺寸6.0mil×6.0mil(1mil=0.0254mm),并在20mA测试电流下测得其输出光功率为3.54mW,发光效率为17.26lm/W,外量子效率为8.77%,相比常规DBR制备LED输出光功率提高35.1%,相比两个反射中心波长复合DBR制备LED输出光功率提高11.3%。说明具有三个反射中心波长的复合DBR更大幅度地提升了AlGaInP发光二极管的出光效率。

AlGaInP发光二极管老化性能研究

采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管,制备成面积小于12 mil×12 mil(300μm×300μm,1mil=25.4μm)的芯片,封装成裸晶结构并在50mA、50℃加速应力环境下进行1008h老化寿命实验,研究外延结构中不同掺杂浓度的分布式布拉格反射镜(DBR)及分段掺杂P型层对小尺寸芯片老化性能的影响。结果表明:随着芯片尺寸缩小,光衰幅度变大,当芯片尺寸小于9mil×9mil(225μm×225μm)时,通过提升DBR的掺杂浓度可以明显降低光衰幅度;降低与过渡层相邻的P-Al_(0.5)In_(0.5)P薄层的掺杂浓度,形成分段掺杂P型层,通过降低第二段P-Al_(0.5)In_(0.5)P薄层的掺杂浓度,可以进一步提升老化性能。尺寸为6mil×6mil(150μm×150μm)的芯片在50mA、50℃环境下老化1008h,其光衰幅度可控制在-6%以内。