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二氧化锡薄膜的制备、特性及应用 被引量:11
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作者 李玉 郑其经 《材料科学与工程》 CSCD 1992年第2期21-27,共7页
自七十年代中期以来,对二氧化锡薄膜及其应用的研究日益受到重视。本文综合介绍了二氧化锡薄膜的制备工艺,纯净和掺杂二氧化锡晶体薄膜的基本性质和在各种领域中的应用。
关键词 二氧化锡 薄膜 工艺 导电
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RF化学气相淀积金刚石薄膜
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作者 章彬 黄庆安 +1 位作者 郑其经 秦明 《电子器件》 CAS 1998年第2期74-83,共10页
本文论述了金刚石薄膜的优点,比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点,主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。
关键词 金刚石 等离子体 化学气相淀积 半导体薄膜技术
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A FACETED DEFECT IN ZMR SOI MATERIALS
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作者 郑其经 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 1993年第2期8-14,共7页
A faceted defect has been found in some ZMR SOI multilayer compositematerials as a result of melting and recrystallization of silicon substrate at some isolat-ed spots of its top in ZMR processing.The temperature devi... A faceted defect has been found in some ZMR SOI multilayer compositematerials as a result of melting and recrystallization of silicon substrate at some isolat-ed spots of its top in ZMR processing.The temperature deviation tolerance of thermalfield is predicted and,based on it,some suggestions on improving the multilayerstructure design are put forward.Finally,a model interpreting the defect formationis described,which leads to a qualitative explanation of the defect features. 展开更多
关键词 SILICON RECRYSTALLIZATION DEFECT COMPOSITE MATERIAL
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ZMR SOI材料中的一种小平面缺陷
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作者 郑其经 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1992年第6期18-22,共5页
在ZMRSOI多层复合材料中观察到一种小平面缺陷,这种缺陷是硅衬底表面在ZMR处理过程中某些局部范围内发生熔化和再结晶的结果。本文介绍了该缺陷的特征,分析了热场的温度偏差容限,提出了改进多层结构设计的意见,最后论述了衬底表面局部... 在ZMRSOI多层复合材料中观察到一种小平面缺陷,这种缺陷是硅衬底表面在ZMR处理过程中某些局部范围内发生熔化和再结晶的结果。本文介绍了该缺陷的特征,分析了热场的温度偏差容限,提出了改进多层结构设计的意见,最后论述了衬底表面局部熔化和再结晶过程,定性地解释了缺陷的主要特征. 展开更多
关键词 再结晶 缺陷 复合材料
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新型电热中药煎煮器
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作者 肖佐楠 徐坤 郑其经 《医疗卫生装备》 CAS 1994年第2期9-10,共2页
本煎煮器以普通紫砂锅为容器,其加热器是用热解喷涂方法在砂锅底部形成一层几干埃厚的SnO_2电热薄膜,再辅以温控电路和时控电路构成。它具有节能,自动,价廉及防止药液溢出等特点。
关键词 中药煎煮器 结构 工作原理
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