溶胶-凝胶法制备Gd_(4)Ga_(2)O_(9):Dy^(3+)白光发射荧光粉及其性能

通过溶胶-凝胶法制备了具有白光发射的Gd_(4)Ga_(2)O_(9):x%Dy^(3+)荧光粉,利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和荧光光谱等对产物的物相结构、形貌、组分和光学性能进行研究,并分析了Dy^(3+)掺杂量对样品的影响。XRD结果表明,所制备的样品为Dy^(3+)掺杂的Gd_(4)Ga_(2)O_(9)单斜晶体和少量Ga_(2)O_(3)杂质相的混合物。紫外-可见漫反射光谱结果表明制备的Dy^(3+)掺杂Gd_(4)Ga_(2)O_(9)晶体是一种光学带隙为5.29 eV的直接带隙半导体。荧光检测结果表明Dy^(3+)掺杂Gd_(4)Ga_(2)O_(9)荧光粉可被属于Gd^(3+)激发带的275 nm紫外光有效激发,并在490 nm和575 nm附近分别发射出属于Dy^(3+)的^(4)F_(9/2)→^(6)H_(15/2)和^(4)F_(9/2)→^(6)H_(13/2)跃迁的蓝色和黄色的强烈光,证实在Gd_(4)Ga_(2)O_(9):Dy^(3+)样品中存在显著的由Gd^(3+)到Dy^(3+)的能量传递发光现象。同时,对其发光机制进行了讨论。样品的发光强度随着Dy^(3+)掺杂量的变化而变化,同时影响着样品的发光颜色,Dy^(3+)掺杂量为1.5%和2%时制备的荧光粉可在紫外光激发下分别发射出CIE色坐标为(0.3362,0.3512)和(0.3381,0.3523)、相关色温为5340 K和5263 K的白色光。研究结果表明Gd_(4)Ga_(2)O_(9):Dy^(3+)是一种潜在的紫外光激发白光发射荧光材料。

Ho^(3+)和Yb^(3+)共掺杂La_(7)P_(3)O_(18)荧光粉的合成及上转换发光性能

通过高温固相技术合成Ho^(3+)和Yb^(3+)共掺杂La_(7)P_(3)O_(18)上转换荧光粉。XRD结果表明,合成样品是空间群为P21/n的单斜结构的La_(7)P_(3)O_(18)晶体和少量La PO4晶体的混合物。紫外可见漫反射光谱结果证实La_(7)P_(3)O_(18)晶体是一种光学带隙为4.10 e V的间接半导体。经980 nm激光激发,Ho^(3+)和Yb^(3+)共掺杂La_(7)P_(3)O_(18)荧光粉发射出Ho^(3+)离子特征的蓝色(486 nm)、绿色(550 nm)和红色(661 nm)特征峰,其中,661 nm处发射峰在样品上转换发光光谱中占主导地位。此外,随着Ho^(3+)和Yb^(3+)掺杂量的增加,样品上转换发光强度先增大后减小。当Ho^(3+)和Yb^(3+)的掺杂量分别达到1%和10%(摩尔分数)时,样品出现浓度猝灭现象,其机制为电四极-电四极相互作用。泵浦功率和发光强度关系表明,样品的绿光和红光发射均源于双光子吸收过程激发。Ho^(3+)和Yb^(3+)共掺杂La_(7)P_(3)O_(18)晶体上转换发光色坐标位于橙红色区域。