3.3kV IGBT模块驱动设计分析

英飞凌公司生产的3.3kV IGBT模块已被客户广泛使用,其驱动电路的设计在许多方面都有别于1.7 kV和1.2kV IGBT模块,文章对该驱动电路的设计细节进行分析,以助于更好地应用该款IGBT模块。

SiC MOSFET模块的硬并联

以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性。

电流源型驱动在高功率密度IGBT5中的应用研究

绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的不断发展也推动着驱动技术的发展。为了减小高功率密度IGBT开通损耗以及优化电流变化率di/dt,提升系统的功率密度和能量转换效率,使用一种具有转换速率控制功能的驱动芯片设计电流源型驱动。通过双脉冲实验平台进行测试,将结果与传统的电压源型驱动测试的结果进行对比、分析,从而验证该电流源型驱动在减小开通损耗和优化电流变化率di/dt方面的优势,为驱动电路的研究与设计提供参考。

驱动参数对IGBT开关性能的影响

对于电压型驱动器件IGBT而言。主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率。栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等。文中主要探讨这些参数如何影响IGBT开关性能，由此选择合适的驱动参数，从而优化IGBT的开关性能。

驱动参数对IGBT开关性能的影响

电压型驱动器件的IGBT而言，主要的驱动参数包括驱动IU压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数。本文主要是探讨这些参数如何影响1GBT开关性能，由此选择H5合适的驱动参数，从而优化1GBT开关性能。