目前,半导体4M DRAM 已进入大量生产阶段,各制造厂对设备的投资越来越大。64M DRAM 也已开发成功,对256M DRAM 的开发各厂商仍在激烈竞争。半导体集成度已提高到亚微领域,以致半导体制造过程中,配线和氧化膜上附着的污染物(灰尘、金属...目前,半导体4M DRAM 已进入大量生产阶段,各制造厂对设备的投资越来越大。64M DRAM 也已开发成功,对256M DRAM 的开发各厂商仍在激烈竞争。半导体集成度已提高到亚微领域,以致半导体制造过程中,配线和氧化膜上附着的污染物(灰尘、金属离子等)会引起断路、短路、或绝缘耐压不足等故障.因此,需采用化学品洗涤及光致抗蚀剂剥离等工序,并希望各工序所用化学品达到超高纯级。展开更多
文摘目前,半导体4M DRAM 已进入大量生产阶段,各制造厂对设备的投资越来越大。64M DRAM 也已开发成功,对256M DRAM 的开发各厂商仍在激烈竞争。半导体集成度已提高到亚微领域,以致半导体制造过程中,配线和氧化膜上附着的污染物(灰尘、金属离子等)会引起断路、短路、或绝缘耐压不足等故障.因此,需采用化学品洗涤及光致抗蚀剂剥离等工序,并希望各工序所用化学品达到超高纯级。