CaBi_4Ti_4O_(15)高温无铅压电陶瓷的B位高价掺杂改性研究

分别以V5+、Nb5+和W6+离子对CaBi4Ti4O15陶瓷进行B位取代,比较3种掺杂离子对CaBi4Ti4O15陶瓷的烧结、介电和压电性能的影响。结果表明:3种离子的掺杂均能改善材料的烧结特性,提高瓷体致密度,同时降低高温电导率和损耗。V5+掺杂可显著改善烧结性能,少量V5+掺杂对居里温度影响不大,但可显著降低高温电导率和高温介电损耗。少量Nb5+掺杂可有效提高材料的压电性能。W6+掺杂对居里温度影响最为显著,使居里温度降低了30℃,但改性效果不如Nb5+和V5+明显。

Sr_(0.3)Ba_(0.7)Bi_(3.7)La_(0.3)Ti_4O_(15)铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。

烧结工艺对Sr_(0.3)Ba_(0.7)Bi_(3.7)La_(0.3)Ti_4O_(15)陶瓷显微结构及介电性能的影响

采用传统高温直接烧结和低温保温的两步烧结工艺制备铋层结构铁电陶瓷Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15,获得结构致密、均匀、粒径介于1～3μm的陶瓷材料。结合XRD和SEM分析研究烧结工艺对陶瓷的晶相、显微结构和介电性能的影响。研究表明:采用两步烧结法使铋挥发和氧空位浓度降低,从而显著减弱了陶瓷的高温低频耗散。随着保温时间的增加,晶格畸变减少,居里温度降低了60℃左右。高温绝缘性也得到明显改善,高温电导率随保温时间的增加显著降低,保温15h所得陶瓷样品的电导率降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10-9S·m-1。

EuP生态设计——电视节能技术探讨

分析了电视机节能设计技术,结合国内外知名制造商应用实例,探讨国内电视机行业节能技术改造的途径,提出一些启发性建议,为电视机制造商以及其他EuP产品制造商开展相关生态设计工作提供借鉴依据。

无铅电子元器件的锡须风险评估与对策分析

针对无铅器件的锡须问题,重点分析锡须的形成机理、诱发因素以及使用风险,探讨抑制锡须生长的有效措施和风险规避对策,为无铅电子元器件在军工、航空航天领域的高可靠使用提供借鉴依据和指导。