DDS的杂散抑制技术及其在频率捷变频雷达中的应用

介绍了一种利用数字直接频率合成器（ＤＤＳ）作为频率基准源的捷变频雷达锁相本振源的方法。针对ＤＤＳ的输出杂散电平严重影响雷达回波这一问题，提出了一种采用频率可控声表面波滤波器组技术，有效地将ＤＤＳ的杂散电平从原来的－３０ｄＢ降低至－６５ｄＢ。该技术已在非相参捷变频雷达数字锁相本振中成功地得到应用。

全平面自对准离子注入技术的X波段功率GaAs MESFET

叙述了采用先进的全平面自对准Si、Mg离子共注入技术的X波段功率GaAs MESFET的设计及制作工艺。采用0.5μm难熔“T”型复合栅及非对称的源、漏结构提高可靠性和击穿电压。在工艺上,使用了一种简便有效的亚微米光刻技术溅射形成TiWN/Au“T”型复合难熔栅,提高高频性能。测试结果表明各项指标均满足设计要求,在X波段可获得1W的输出功率,具有高击穿、低夹断、小电流、大跨导的特点。