应变SiGe合金的喇曼光谱研究

本文利用喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分，实验中发现：高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子分布较低Ｇｅ组分样品无序和均匀，反应气体的氢气稀释以及完全无应变会使生长的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的分布较为均匀，生长过程中应变的影响、原子的迁移以及氢原子的覆盖解释了以上实验结果。

Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器

本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度。

Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线

作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.

新型微电子和光电子材料──SiGe／Si异质结构材料的发展

新型微电子和光电子材料──ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构材料的发展夏传钺（国家自然科学基金委员会，信息科学部１０００８３）刘安生，郑有斗（北京有色金属研究总院１０００８８）（南京大学物理系２１０００８）近半个世纪半导体的发展表明，硅材料所制备的器件和以硅大规...