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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
1
作者
周玉刚
李卫平
+7 位作者
沈波
陈鹏
陈志忠
臧岚
张荣
顾书林
施毅
郑有翀
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对...
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。
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关键词
ALGAN
GAN
金属有机化学气相淀积
气相寄生反应
光加热
下载PDF
职称材料
题名
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
1
作者
周玉刚
李卫平
沈波
陈鹏
陈志忠
臧岚
张荣
顾书林
施毅
郑有翀
机构
南京大学物理系
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第8期34-36,共3页
基金
863计划
国家自然科学基金资助项目
文摘
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。
关键词
ALGAN
GAN
金属有机化学气相淀积
气相寄生反应
光加热
Keywords
GaN, AlGaN, Gas phase parasitic reaction, Light radiation heating, MOCVD
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
周玉刚
李卫平
沈波
陈鹏
陈志忠
臧岚
张荣
顾书林
施毅
郑有翀
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000
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