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消除CCD不良背景的工艺研究 被引量:1
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作者 李平 郑杏平 +6 位作者 李仁豪 雷仁方 许宏 韩恒利 陈捷 张故万 汪琳 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期387-389,共3页
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成... 对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。 展开更多
关键词 电荷耦合器件 不良背景 栅介质 本征吸杂 低温退火
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