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消除CCD不良背景的工艺研究
被引量:
1
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作者
李平
郑杏平
+6 位作者
李仁豪
雷仁方
许宏
韩恒利
陈捷
张故万
汪琳
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期387-389,共3页
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成...
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
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关键词
电荷耦合器件
不良背景
栅介质
本征吸杂
低温退火
下载PDF
职称材料
题名
消除CCD不良背景的工艺研究
被引量:
1
1
作者
李平
郑杏平
李仁豪
雷仁方
许宏
韩恒利
陈捷
张故万
汪琳
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期387-389,共3页
文摘
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
关键词
电荷耦合器件
不良背景
栅介质
本征吸杂
低温退火
Keywords
CCD
harmful background
gate dielectric
intrinsic gettering technique
low temperature annealing
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
消除CCD不良背景的工艺研究
李平
郑杏平
李仁豪
雷仁方
许宏
韩恒利
陈捷
张故万
汪琳
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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