期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展
被引量:
1
1
作者
何峰
白旭东
+6 位作者
陆欣昱
郑树颍
李荣斌
刘学超
魏天然
史迅
金敏
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第9期1722-1731,共10页
Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用。本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量...
Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用。本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响。迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体。为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较。研究分析表明:垂直布里奇曼法因对设备要求简单,操作简易,现已成为制备高质量大尺寸InSe晶体的主流技术,水平梯度凝固法则在ε型InSe晶体生长方面颇具特色,未来可在新材料性能研究与应用探索上与垂直布里奇曼法形成一定补充。
展开更多
关键词
INSE
半导体
晶体生长
垂直布里奇曼法
下载PDF
职称材料
题名
Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展
被引量:
1
1
作者
何峰
白旭东
陆欣昱
郑树颍
李荣斌
刘学超
魏天然
史迅
金敏
机构
上海理工大学材料与化学学院
山东大学晶体材料国家重点实验室
乌镇实验室
上海电机学院材料学院
中国科学院上海硅酸盐研究所
上海交通大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第9期1722-1731,共10页
基金
上海市教委曙光计划
国家重点研发计划(2021YFA0716304)
山东大学晶体材料国家重点实验室开放基金(KF2004)。
文摘
Ⅲ-Ⅵ族InSe晶体是一种非常重要的化合物半导体材料,在高性能纳米电子器件、红外光探测、光电器件及柔性电子等领域有广泛应用。本文简要介绍了In-Se相图的发展历程,InSe具有非一致熔融特性,可通过包晶反应从准化学剂量比或非化学剂量比溶液中析晶获得,其中In/Se摩尔比对InSe转化率有重要影响。迄今,垂直布里奇曼法、提拉法、水平梯度凝固法、低温液相法及气相输运法等多种技术被成功用于制备InSe晶体。为全面了解InSe晶体生长的历史和现状,本文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等方面将国内外相关工作进行了梳理,并对各种方法的优缺点进行了比较。研究分析表明:垂直布里奇曼法因对设备要求简单,操作简易,现已成为制备高质量大尺寸InSe晶体的主流技术,水平梯度凝固法则在ε型InSe晶体生长方面颇具特色,未来可在新材料性能研究与应用探索上与垂直布里奇曼法形成一定补充。
关键词
INSE
半导体
晶体生长
垂直布里奇曼法
Keywords
InSe
semiconductor
crystal growth
vertical Bridgman method
分类号
O734 [理学—晶体学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ⅲ-Ⅵ族InSe半导体晶体生长研究进展
何峰
白旭东
陆欣昱
郑树颍
李荣斌
刘学超
魏天然
史迅
金敏
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部