采用常规烧结方法合成不同Sb-Mn共掺杂量的CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)(CBT)基Aurivillius高温压电陶瓷。从晶体结构、显微组织和压电性能等方面研究掺杂量(x)对陶瓷性能的影响。研究发现,适当的Sb-Mn掺杂量可以有效地优化CBT陶瓷的晶格结构,...采用常规烧结方法合成不同Sb-Mn共掺杂量的CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)(CBT)基Aurivillius高温压电陶瓷。从晶体结构、显微组织和压电性能等方面研究掺杂量(x)对陶瓷性能的影响。研究发现,适当的Sb-Mn掺杂量可以有效地优化CBT陶瓷的晶格结构,降低氧空位浓度,从而提高其电学性能。在x=0.05组分时获得优化的电性能,792℃的高居里温度、25 p C/N的压电系数(d33)。另外,这种陶瓷表现出良好的热稳定性,在600℃退火2 h后d33仍保持初始值的88%。此外,在400℃时陶瓷还显示出高电阻率(ρ=1.35×10^(8)Ω·cm)和小的介电损耗(tanδ=1.7%)。由于这些优异的压电性能,Sb-Mn共掺杂的CBT陶瓷有可能成为高温压电应用的潜在候选材料。展开更多
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文摘采用常规烧结方法合成不同Sb-Mn共掺杂量的CaBi_(4)Ti_(4)O_(15)(CBT)基Aurivillius高温压电陶瓷。从晶体结构、显微组织和压电性能等方面研究掺杂量(x)对陶瓷性能的影响。研究发现,适当的Sb-Mn掺杂量可以有效地优化CBT陶瓷的晶格结构,降低氧空位浓度,从而提高其电学性能。在x=0.05组分时获得优化的电性能,792℃的高居里温度、25 p C/N的压电系数(d33)。另外,这种陶瓷表现出良好的热稳定性,在600℃退火2 h后d33仍保持初始值的88%。此外,在400℃时陶瓷还显示出高电阻率(ρ=1.35×10^(8)Ω·cm)和小的介电损耗(tanδ=1.7%)。由于这些优异的压电性能,Sb-Mn共掺杂的CBT陶瓷有可能成为高温压电应用的潜在候选材料。