用于电致变色技术的氧化钨薄膜最佳厚度的探索

WO_(3)薄膜在小直流电压作用下,通过阳离子的嵌入/脱出可以在深蓝色和透明态之间进行可逆变色.注入离子的迁移路程(即薄膜厚度)对WO_(3)电致变色性能和循环稳定性有极大影响.因此,本文采用直流反应磁控溅射制备WO_(3)薄膜,通过控制溅射时间制备得到200 nm、500 nm、800 nm、1100 nm、1400 nm 5种厚度的薄膜样品,分别测试其初始态和1000圈CV循环后的电荷储量、调制率、响应时间及记忆时间,探究用于电致变色技术的WO_(3)薄膜的最佳厚度.结果表明,800 nm厚度的WO_(3)薄膜表现出的电致变色性能和循环稳定性明显优于其他厚度,在1000圈循环后电荷储量下降了25.1%,在波长550 nm处调制率衰减了1.59%,24 h静置后透过率增加了11.73%.该研究可为WO_(3)薄膜的产业化应用提供更为精确的理论指导.