表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模拟

影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射。根据实际芯片建立LED模型,利用蒙特卡罗方法进行光线追迹模拟,分析了光子的主要损耗对出光效率的影响。计算不同的表面粗化微元,微元尺寸及微元底角对LED光提取效率的影响;比较不同微元形成的光场分布。模拟显示:所设计最佳的表面粗化结构在理想状况下可以提高光提取效率3倍以上。

用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻

提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现InGaN/AlGaN超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用。最后,利用p-InGaN/AlGaN超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27×10-5Ω.cm2的良好欧姆接触。

企业实践促进新专业学生优化学习生涯规划

针对大学生对新专业认识不够全面、学习生涯规划存在困惑的问题,学院组织不同学习阶段新能源科学与工程专业学生代表组成专业知识实践队伍,带队到多家新能源相关企业实践学习;通过实践前安排调研任务、实践过程了解学生学习现状和学习生涯规划、实践后指导学生撰写实践论文并向相关报刊及电子媒体投稿来增强不同学习阶段学生对专业的认识,提高学习积极性,优化学生的学习生涯规划。

纤维素/ZnO复合膜的制备及其性能研究

采用醋酸锌、乙醇和乙二醇甲醚比例为1 g∶200μL∶10 mL配制ZnO前驱体溶液,然后将其旋涂在湿纤维素膜表面,进一步通过退火处理获得性能优异的纤维素/ZnO复合膜,并以纤维素/ZnO复合膜为衬底制备透明导电膜。研究表明,提高退火温度,纤维素/ZnO复合膜的透光率呈现先降低后趋于平稳的趋势。当旋涂转速为2000 r/min,退火温度为23℃时,纤维素/ZnO复合膜的透光率高达89.6%,升高退火温度至160℃,复合膜的透光率降低至86.3%。退火温度和旋涂转速会影响纤维素/ZnO复合膜的热稳定性能,升高退火温度和旋涂转速会提高复合膜的热稳定性能。在80℃和2000 r/min的处理条件下,可以制备形貌比较均匀的纤维素/ZnO复合膜;与纤维素膜相比,以纤维素/ZnO复合膜为衬底制备的透明导电膜,其电阻降低约65%。

辉光放电质谱法检测AZO靶材中痕量元素及深度分布

利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDMS和台阶仪对已经进行磁控溅射过的AZO靶材表面进行深度剖析,考察靶材上的主要污染元素随深度的纵向分布,最后利用GDMS对预溅射完后的AZO靶材内部杂质元素进行质谱分析。利用XPS进行验证,两种方法测试得到的Zn和Al的含量相近。分析结果表明GDMS是分析AZO等半导体靶材的有效方法,该方法可以对靶材造成的污染进行预判,避免溅射过程中造成的污染。

辉光放电质谱法测定高纯铪中的痕量元素

采用辉光放电质谱法,直接测定高纯Hf中的痕量元素。通过对仪器调谐,优化了工作参数,并对测试过程中产生的多原子离子干扰进行仔细考察,得到较为理想的测试结果。当元素含量在ug/g水平时,测量的相对标准偏差(RSD)小于10%。

DLTS测试条件对不同位置深能级表征的影响

材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进行材料物理研究、制备高性能电子器件的关键步骤。利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,采用不同测试条件测量n+p结构硅材料中出现的不同能级位置的深能级,观察到p型外延层中出现的7个深能级。对比不同锁相频率、降升温模式、脉冲宽度、注入脉冲电压对测试结果和精度的影响。结果表明,为了有效地测试同一材料中出现的不同能级位置的深能级,应该尽量采用较高的锁相频率和较大的脉冲宽度,并且在降温模式下进行测试,以便有效地分辨较浅能级的谱峰。该测试方法可以推广到其他多能级半导体材料的表征。

价值工程在12～15吨三轮压路机设计改进上的应用

一、价值工程对象的选择。我厂目前生产的产品有三大类33个品种,其中老产品占80％,12～15吨三轮压路机居老产品之首,也是我厂目前唯一的考核产品。从生产角度看,我厂生产压路机已有20多年的经验,技术力量较强,生产能力富余。但生产该产品加工过程复杂,产品质量要求高,原材料消耗大,几乎无利可图。生产一台压路机要消耗将近12吨的钢材,在当前原材料供应紧张,物价又不断上涨的情况下,是很难调动生产压路机的积极性。从市场角度着,三轮压路机在同类产品中价格较便宜,用户对该产品的性能也比较熟悉,所以目前还有一定的销路,年销量一般都在50台左右,估计有继续扩大销量的可能。从压路机的装备水平看,在结构设计和工艺性上都存在不少问题,尤其是机身长。

辉光放电质谱法测定氧化铟锡靶材中的元素含量

利用辉光放电质谱仪(GDMS)一次性直接测定ITO靶材中的主体元素和痕量元素。首先考察了ITO样品中的元素和Ar,H,O,N等气体元素形成的多原子离子干扰,利用X射线光电子能谱确定氧化铟锡靶材的主体元素In和Sn的组分,通过GDM S校正获得二者的相对灵敏度因子(RSF),从而对ITO中的In和Sn进行定量,并利用典型RSF对其他痕量元素进行半定量。测试的结果具有较好的准确度和精度。利用校正RSF和典型RSF相结合进行测试的方法同样适用于类似的掺杂的半导体材料。

2×25.4mm GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用

利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/GaN多量子阱(MQW′s)LED器件结构,通过光致发光谱(PL)和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的GaNLED外延膜晶体质量。

集中内审与分散内审的结合应用

组织在贯彻ISO 9001：2000标准8．2．2条款，开展内部质量管理体系审核的过程中，通常采用集中内审或分散内审的方法。笔者认为，采用集中内审与分散内审相结合的“二合一”内审模式，更有利于质量管理体系的实施和保持。