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高介电氧化铪薄膜的制备与性能研究
1
作者
廖荣
邓永健
+4 位作者
王家驹
赵飞兰
郑若茜
刘慧君
柯嘉聪
《真空》
CAS
2019年第5期52-55,共4页
采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO2薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论:HfO2薄膜表面较为平坦致...
采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO2薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论:HfO2薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm^20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm^800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO2材料适合代替传统Si O2做栅介质材料。
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关键词
HFO2
薄膜
磁控溅射
介电常数
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职称材料
题名
高介电氧化铪薄膜的制备与性能研究
1
作者
廖荣
邓永健
王家驹
赵飞兰
郑若茜
刘慧君
柯嘉聪
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《真空》
CAS
2019年第5期52-55,共4页
基金
2019年华南理工大学“学生研究计划”项目(X201910561135)
2018年华南理工大学第五批“探索性实验”项目(Y9180400)
2018年华南理工大学“国家级大学生创新创业训练计划”(Y9180210)项目
文摘
采用磁控溅射法分别在Si片和玻璃片上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和HP4284A精密LCR测试仪对HfO2薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论:HfO2薄膜表面较为平坦致密,晶粒大小均匀,晶粒尺寸大部分在10nm^20nm之间;薄膜为多晶结构,O和Hf的原子比接近2:1,且随着氩氧比的增加,O和Hf的原子比呈上升趋势;薄膜在400nm^800nm波长范围内光的透射率都在85%以上,折射率都在2.0以上;漏电流较小,介电常数在16以上。高介电HfO2材料适合代替传统Si O2做栅介质材料。
关键词
HFO2
薄膜
磁控溅射
介电常数
Keywords
HfO2
thin film
magnetron sputtering
dielectric constant
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高介电氧化铪薄膜的制备与性能研究
廖荣
邓永健
王家驹
赵飞兰
郑若茜
刘慧君
柯嘉聪
《真空》
CAS
2019
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职称材料
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