N型氢化纳米晶硅氧薄膜的制备及其光电特性的研究

采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)的方式,以硅烷(SiH_4)、氢气(H_2)、磷烷(PH_3)以及二氧化碳(CO_2)等气体为原料,制备具有宽带隙、高电导特性的n型氢化纳米晶硅氧(n-nc-SiO_x:H)薄膜,并对其进行了结构分析、暗电导测试和透射反射谱测试.结果表明,增加反应过程中CO_2流量会展宽nnc-SiO_x:H薄膜的光学带隙,增加H_2流量将改善n-nc-SiO_x:H薄膜的晶化率.在H2流量为320sccm,CO_2流量为0.9sccm的条件下,制备n-nc-SiO_x:H薄膜的光学带隙可达2.47e V,电导为0.1S/cm.

退火温度对CH_3NH_3PbI_3成膜质量及光伏性能的影响

采用简单的溶液法在FTO玻璃上制备钙钛矿薄膜.通过运用控制变量法研究退火温度对钙钛矿层成膜质量的影响规律,利用SEM、XRD、UV、IV、EQE等表征手段对器件的形貌、结构、光学和光电转换效率进行研究.研究结果表明,退火温度对钙钛矿吸收层的结晶性能、钙钛矿太阳能电池的光电转换效率影响较大,当钙钛矿薄膜退火温度在100℃时钙钛矿薄膜具有较高的结晶质量,同时还具有较高的表面覆盖率,使钙钛矿太阳能电池的效率达到最大.

硅微纳复合陷光结构的制备及在异质结太阳电池中的应用研究

硅纳米线异质结太阳电池因具有良好的陷光效果及径向结收集特性而受到广泛关注.利用低浓度NaOH溶液在硅片表面腐蚀出微米尺度的金字塔结构,并采用反应离子刻蚀(RIE)的方式在其上进一步腐蚀出纳米线形貌,构建硅微纳复合陷光形貌结构.通过分析硅微纳复合陷光形貌结构的陷光机理,指导优化反应离子刻蚀工艺中的刻蚀时间,最终获得不同形貌结构的陷光衬底.通过分析其光学特性发现,在RIE时间为120 s时,硅微纳复合结构衬底反射率可小于5%,具有优异的陷光特性以及在硅异质结太阳电池中应用的巨大潜力.