GaP:N LPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析

利用扫描电子显微镜研究GaP：NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态，结果发现：样品经外延后，外延层的位错密度比衬底的位错密度有不同程度的下降，因样品各异，下降幅度为37％～83％；外延层的位错密度越低，样品的发光越好．位错坑的形态有正六棱锥形、不等边六棱锥形和正三棱锥形3种形状，随着腐蚀过程进行，正六棱锥形坑渐渐演变为正三棱锥形坑．

关于气压供水装置用于消防系统的探讨

作者认为目前《高规》对扑救初期火灾规定的贮水量缺乏强度指标,对要求设置的水枪口径亦过大,一般人员很难使用,实际如同虚设。如改配1～2支水喉,同时预留φ65mm 消火栓栓口,则更符合实际操作条件,且10分钟的贮水量可按3～5升/秒流量考虑。并认为,如采用气压供水装置代替屋顶水箱,应选用“大罐装置”贮足10分钟消防水量。最后,并对用于消防的气压罐罐体的设计参数提出了建议。