硫掺杂三维石墨烯的制备及电化学性能表征

杂原子的掺杂可以有效地避免其无序堆叠,从而改善其基电极的电化学性质。由此,研究人员利用噻吩聚合物(PEDOT:PSS)为硫源,在氧化石墨烯的表面形成高分子链,退火处理制备了硫原子掺杂的石墨烯晶体,制作了三维结构的硫掺杂石墨烯(SG)。实验证明,SG电极材料具有高比电容,在电流密度为0.5 A/g时,比电容为254 F/g。由此得到的SG电极材料的电容比容量明显优于还原氧化石墨烯(rGO)的容量。比电容性能大幅度的改善证实了硫掺杂的石墨烯在超级电容器的应用中良好的前景。

实践教学引进“半导体制造技术”课堂中的重要性

＂半导体制造技术＂课程主要讲述半导体制造的全过程,涵盖一系列工艺流程,其理论性和实践性均较强。基于该课程的性质特点,针对行业需求,阐述了实践课程引入该课程中的重要性,以期达到培养创新性半导体制造技术专业高水平人才的目标。

基于“半导体制造技术”探讨氮化镓发光二极管倒装芯片结构及制造工艺

基于传统的氮化镓二极管倒装芯片技术，针对导电层吸收光和电极垫遮光而导致的发光亮度低的问题，本文主要介绍了氮化镓发光二极管中一种新型倒装芯片结构及其制造工艺。该倒装芯片结构及新工艺的引入，可以有效增强光子的吸收，从而提高倒装芯片的发光亮度。

浅析《新能源材料与器件》研究生课程学习与能力培养

本文主要对在《新能源材料与器件》课程建设过程中所遇到的问题进行了分析和思考总结.该课程史材料物理与化学专业硕士研究生的必修课,而且是一门专业性强、涉及面广,且具有多学科交叉的综合性课程.立足基本理论,紧扣材料结及器件的结构与性能特点,通过实践环节拓展学科前沿,进一步完善教学手段和方法,调动学生的学习积极性,以期取得令人满意的教学效果.

加钛方式对A356合金晶粒细化效果和衰退行为的影响

分别采用电解加钛、熔配加钛和氟盐加钛三种方式,研究了加钛方式和保温时间对A356合金的晶粒细化效果和抗衰退能力的影响。结果表明,在钛含量(0.1%)相同条件下,短时保温时,电解加钛的晶粒细化能力高于熔配加钛和氟盐加钛,电解加钛A356合金的一次枝晶臂间距最短;长时间保温后,各种加钛方式使A356合金晶粒和共晶硅均发生了不同程度的衰退,但电解加钛A356合金的抗衰退能力最强,氟盐加钛合金的抗衰退能力最低。

基于创新能力培养下的《新能源材料与器件》课程教学探讨与总结

《新能源材料与器件》是一门覆盖面广、学科交叉性强的学科,并且是属于国家的战略新兴专业,探索更行之有效的教学方法并达到更优的学习效果当下的首要任务。本文主要探讨并总结了《新能源材料与器件》课程教学中存在的问题,并对这些问题进行了深入的剖析,通过对教材选取、课程内容规划、教学模式和考核机制的探讨,提出了切实可行的意见和思考。

Sc、Zr、Ti复合合金化对Al-5Mg合金组织和性能的影响

通过向合金中单独或联合添加微量的Sc、Z r、T i,研究了Sc、Z r、T i复合合金化对A l-5M g合金微观组织、再结晶抗力及力学性能的影响。研究结果表明:合金中单独添加0.2%Sc,使合金的再结晶抗力、硬度和强度明显增加而塑性明显下降,但对合金没有晶粒细化效果。Sc、Z r复合合金化明显改善了Sc对晶粒的细化能力和再结晶抗力,合金的强度和硬度也进一步增加,但对塑性的影响不大。添加0.036%T i进行Sc、Z r、T i复合合金化使合金具有最佳的晶粒细化效果和再结晶抗力,但对合金的力学性能影响不大。原因在于Sc、Z r、T i复合合金化降低了A l-A l3Sc共晶点,而且Z r、T i可以代替部分Sc形成A l3Sc1-xZ rx或A l3Sc1-xT ix复合粒子,有利于凝固过程中形成与α-A l具有良好晶格匹配性的一次A l3Sc1-xZ rx或A l3Sc1-xT ix复合粒子及挤压和退火过程中二次复合粒子的析出。这些大量的、弥散分布的、与基体共格的粒子可以有效地阻止位错的运动和亚晶界的迁移,从而产生良好的细晶强化、弥散强化和亚结构强化效果。

电子封装技术教育发展

对电子封装技术专业设置的原因、发展、以及课程的设置和教学的研讨做了简单的总结,展望了这一专业的未来发展;以便相关高校进一步调整专业培养方案,培养出更加优秀的专业人才。

舒降之对血清脂蛋白(a)浓度影响的疗效观察

血清脂蛋白（ａ）是动脉粥样硬化的独立危险因素。我室对２８例高脂蛋白血症（ＨＬＰ）患者服用舒降之的疗效进行观察结果显示：舒降之可降低ＴＣ、ＬＤＬｃ、ＡｐｏＢ１００，同时升高ＨＤＬｃ／ＴＣ，呈现良好的调理血脂作用，而对Ｌｐ（ａ）浓度无明显降低作用。

硫氮(艹卓)酮治疗心绞痛42例临床研讨(附20例双盲对照分析)

我院自1988年4月～1989年4月用日本田边制药株式会社产盐酸硫氮酮(以下简称Dil)治疗冠心病心绞痛42例,现将结果报告如下。材料和方法冠心病62例中男35例,女27例;年龄38～62岁,平均55.2岁。全部患者均有心绞痛发作同时伴有休息或负荷心电图异常,符合冠心病诊断标准。属稳定型45例,不稳定型14例,梗塞后心绞痛3例。轻度34例,中度23例,重度5例。合并高血压病9例、糖尿病2例。

舒降之治疗高脂蛋白血症的疗效观察

血浆胆固醇尤其是ＬＤＬ－Ｃ水平的增高，与冠心病危险性的增加密切相关，且随血浆胆固醇水平进行性升高而增加〔１〕。降低血浆胆固醇（ＴＣ）、ＬＤＬ－Ｃ、ＡｐｏＢ１００对防治动脉粥样硬化和冠心病有重要意义〔２〕。本文就舒降之治疗高脂蛋白血症的疗效进行了临床对...

封装测试工艺与设备课程教学改革的探索

随着我国集成电路产业的发展和需求不断加大，该行业亟须大量的专业人才。封装测试工艺课程为培养该领域人才提供必要的知识技能。为更好地适应产业需求，我国对该课程进行了教学模式改革。为适应电子封装发展趋势和不断满足新技术和新工艺的要求，应更新教学内容，提高先进封装技术水平，并实现理论和实践相结合的教学模式，应改变单一化教学模式，满足大学生的求知欲望，培养学生解决问题的能力。

参麦注射液联用硝酸甘油治疗不稳定型心绞痛疗效观察

以参麦注射液联用硝酸甘油治疗不稳定型心绞痛８０例，结果：显效１４例，有效６０例，无效６例，总有效率为９２．５％。观察病例中未出现血压下降而终止治疗者，提示本法治疗能有效地防止硝酸甘油静滴引起的血压下降。

氢稀释对nc-Si∶H薄膜结构和光致发光的影响

基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发光性能的影响。随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的纳米晶硅尺寸单调减小,而晶化率提高。键合结构分析表明,随着氢稀释比增加,nc-Si∶H薄膜中氢含量和Si—H键密度均减小。综合在不同氢稀释比下纳米晶硅尺寸变化、PL峰位移动及PL峰强度变化等特征,nc-Si∶H室温PL光谱被归因于纳米晶硅的量子限制效应。当氢稀释比由96%增大至97%时,氢的钝化作用使PL峰强度升高;当进一步增加氢稀释比至98.5%时,由于H2的生成,使氢的钝化效果显著降低,导致PL峰强度降低。

非晶硅薄膜连续激光晶化结构研究

为了研究连续激光晶化的非晶硅薄膜的结构特性,采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上沉积了非晶硅薄膜,用波长为532 nm的连续激光对非晶硅薄膜进行晶化,并采用喇曼光谱仪、傅里叶红外吸收光谱仪和原子力显微镜对激光晶化前后薄膜的结构和形貌进行表征。结果表明,固定激光照射时间为45 s、激光功率密度为1.914×105 W/cm2时,非晶硅薄膜开始晶化。当激光功率密度达到4.016×105 W/cm2时,薄膜晶化效果最佳。随着激光功率密度进一步增至4.872×105 W/cm2时,薄膜晶化效果变差。当固定激光功率密度保持4.016×105 W/cm2,激光照射时间为10 s时,非晶硅薄膜开始晶化,激光照射时间为45 s时晶化效果最佳。上述研究结果对采用连续激光晶化法制备多晶硅薄膜具有一定的指导意义。

1、6—二磷酸果糖治疗心绞痛疗效观察

１、６—二磷酸果糖治疗心绞痛疗效观察山西医学院第二附属医院（０３０００１）项志斌，武卫东，张荣，郝惠莲，王加玑１、６—二磷酸果糖（Ｆｒｕｃｔｏｓｅ１、６—Ｄｉｐｈｏｓ－ｐｈａｔｅ、ＦＤＰ）是细胞内糖代谢的重要中间产物，对许多代谢通路起调节作用，是改善...

尼卡地平治疗心绞痛疗效分析

尼卡地平60mg/天,随机化双盲安慰剂对照,观察其治疗冠心病心绞痛的临床疗效,对缺血性心电图改变、运动负荷试验参数、血流动力学指标、血液流变学、前列腺素代谢和血小板功能的影响,并对其抗心绞痛的机制加以分析。

以石墨烯为碳源对SiC纳米颗粒的制备和表征

采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱(Raman)等手段进行分析表征测试。结果表明,在没有催化剂参与的情况下,将石墨烯和Si粉置于石墨坩埚中,并抽真空10^(-3)Pa条件下成功制备了3C-Si C和2H-Si C混合晶型的纳米颗粒。

血浆和红细胞内钙镁铜锌含量测定对心血管疾病诊断价值的探讨

血浆和红细胞内钙镁铜锌含量测定对心血管疾病诊断价值的探讨山西医学院第二附属医院（０３０００１）王加玑，梅根，郝惠莲，顼志斌，张荣，张丽微量元素与心血管疾病的关系十分密切，日益受到临床的重视。本文旨在探讨血浆和红细胞内钙、镁、铜、锌含量与急件心肌梗塞（...

a-SiN_xO_y薄膜局域态激子发光

利用等离子体增强化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜。基于结构表证、光致发光(PL)光谱、温度依赖性PL光谱和光致激发(PLE)光谱,对aSiNxOy薄膜中局域态激子的发光性能进行了详细的研究。傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)实验结果证实了a-SiNxOy薄膜中存在O—Si—N键合结构;PLE和PL峰位之间存在0.92 eV的斯托克斯漂移,表明a-SiNxOy薄膜室温可见发光主要起源于局域态激子的辐射复合;实验和理论计算结果表明,a-SiNxOy薄膜室温PL主要起源于与Si—O—Si和O—Si—N相关的局域态激子的辐射复合。