亚稳相Ga_(2)O_(3)异质外延的研究进展

作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_(2)O_(3))被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga_(2)O_(3),亚稳相Ga_(2)O_(3)表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质量的亚稳相Ga_(2)O_(3)单晶薄膜是实现亚稳相Ga_(2)O_(3)基功率电子、微波射频和深紫外光电信息感知器件的重要前提。重点阐述了亚稳相Ga_(2)O_(3)的晶体结构、电子能带结构以及相关物理性质,总结了近年来亚稳相Ga_(2)O_(3)异质外延和能带工程的研究进展,并对未来亚稳相Ga_(2)O_(3)材料和器件的发展趋势进行了展望。

我省文盲半文盲人口的现状及对策

一、我省文盲半文盲人口的现状 根据我省第四次人口普查资料,1990年我省的总人口为32882403人,6岁及6岁以上的人口为28319382人。其中6岁及6岁以上人口中具有小学及小学以上文化程度的人口21863562人,它占全省总人口的66.49％,占6岁及6岁以上人口的77.20％。这些数字表明:在全省总人口中,三分之一的人未达到小学文化程度;在6岁及6岁以上的应受教育人口中,五分之一的人未能完成或根本没有接受小学教育。

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展

超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的p型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈.针对上述两大关键瓶颈,本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga_(2)O_(3)异质集成晶体管与基于p型氧化镍/n型氧化镓(p-NiO/n-Ga_(2)O_(3))异质结的Ga_(2)O_(3)功率二极管和超结晶体管的研究进展.采用离子刀智能剥离-键合技术实现的高导热衬底Ga_(2)O_(3)异质集成方案可有效解决其导热问题,碳化硅(SiC)和硅(Si)基Ga_(2)O_(3)异质集成晶体管展现出远优于Ga_(2)O_(3)体材料器件的热相关特性.采用异质外延技术制备的p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)功率二极管和超结晶体管均展现出良好的电学特性,p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)异质结为Ga_(2)O_(3)双极器件的发展提供了一种可行途径.异质集成和异质结技术可有效地克服Ga_(2)O_(3)本身的关键难点问题,助力高效能、高功率和商业可扩展的Ga_(2)O_(3)微电子系统的实现,推动其实用化进程.