基于TMP80PH40的变频控制系统

在全面分析研究了无位置传感器无刷直流电动机运行方式的基础上,给出了电动机的转子相位判断、反电动势检测和启动的原理。给出了无刷直流电动机变频控制系统的硬件结构和软件设计流程。该系统以TMP80PH40单片机为控制核心,由IR2103驱动功率场效应管。通过TMP80PH40的PMD功能模块实现了无位置传感器无刷直流电动机的位置功能、过载保护和位置检测。实验结果表明,该系统实现了电动机的变频调速运行。

便携式吸声系数测量仪的设计

根据双传声器法的基本原理,设计一种便携式吸声系数测量仪。该仪器以TMS320VC5402和AT89S52作为控制芯片,通过两路完全对称的信号调理电路同时采集模拟声压信号,经ADS7862转换后送给DSP.然后,DSP完成傅里叶时频变换FFT并计算出吸声系数。最后,交给单片机显示并与上位机通信。系统具有便携、精度高、现场实时测量等优点。

PTCR欧姆接触电极制备方法现状

从半导瓷和金属电极的欧姆接触理论出发 ,详细的叙述了PTCR欧姆接触电极的各种主要制备方法。通过对这些方法的优缺点的分析 ,指出磁控溅射法由于具有制备工艺简单、无工业污染、电极成本低廉、膜层致密均匀、附着力强等优点 ,将在PTCR欧姆接触电极的制备工艺中占据重要地位 。

双施主掺杂对高居里点PTC陶瓷性能的影响

在分别研究了Nb5+、Y3+掺杂对高温PTC陶瓷性能的影响后,得出结果:Y3+既可作为施主,又可起受主作用,还可以提高升阻比;Nb5+主要是起施主作用,但可以抑制Pb的挥发.为了能够使高温PTC陶瓷整体性能提高,因此结合Nb5+、Y3+各自的优点,用正交法对高温PTC陶瓷进行了双施主掺杂配方的试验,优选了最佳配方:Nb5+应该控制在0.06～0.08之间,Y3+控制在0.08～0.12之间较好.

双施主掺杂在高性能高温PTC制备中的应用

Nb2O5和Y2O3单施主掺杂对高温PTC性能均有一些不利的影响。设计了Nb2O5和Y2O3双施主掺杂的配方,分析Nb2O5和Y2O3掺杂量在不同比例下对材料性能的影响,得出结果:在制备高性能的高温PTC时,适当的施主掺杂总量和适当的Nb、Y掺杂配比,可以改变PTC的性能,另外还讨论了在该配方下的工艺方案。

热敏电阻高温特性测试系统

提出了能够用于在高温段进行热敏电阻阻温及老化测试的系统设计方案。介绍了系统的整体方案,包括硬件设计和软件优化,解决了电阻炉电磁干扰产生的寄生效应对测量的影响以及高温测试过程中的诸多问题,提出了高温炉内寄生效应模型,保证在测量参数一定时对样片的测试稳定可靠,并实时显示、保存测试数据,用于高温热敏电阻的开发测试工作。

PTCR伏安特性测试曲线中的数学模型

详细分析了正温度系数热敏电阻(PTCR)静态伏安特性曲线的特征,在此基础上介绍了处理伏安特性测试数据的数学方法——最小二乘法和自然样条函数法。并将实际测试数据用本方法拟合结果与通用数据拟和软件Origin拟合结果进行了比较。结果表明:本方法拟合的曲线跟Origin拟合的结果趋势非常接近,绘制的曲线更加平滑,更加接近实际。

TMP88PH40在无刷直流电机控制系统中的应用

根据TMP88PH40单片机中PMD模块的特点,提出了一种应用于无位置传感器无刷直流电机控制的程序设计方案.通过系统程序的状态流程图,重点分析了无位置传感器无刷直流电机启动、转子位置检测以及速度调制的实现过程.介绍了TMP88PH40单片机中PMD模块的关键部分——转子位置信号检测单元和定时器单元.该控制系统已经通过调试运行,实验结果证明了该控制系统可以有效地实现无位置传感器无刷直流电机启动,平稳运行并进行变频调速控制.

BaCO_3基低温共烧陶瓷基板工艺及性能分析

对用于封装的BaCO3基低温共烧陶瓷基板LTCC材料进行了研究,包括组分配制以及陶瓷制备工艺研究。对烧结后陶瓷的部分热性能以及力学性能进行了测试。结果表明:BaCO3基低温共烧陶瓷较为致密的密度在3.8～4.2g/cm3,在900℃烧结的陶瓷机械形变较小。

单片机和CPLD在PTCR测试系统中的应用

针对PTCR热敏电阻生产中耐电压、耐电流特性测试的需要,研制了一种使用单片机和CPLD(ComplexPro grammableLogicDevice复杂可编程逻辑器件)来控制PTCR测试的模块。采用AT89C51单片机、CPLD、RS232通讯接口,很好地实现了在PTCR测试中选择各种测试模式和实时设置、修改各种参数,并且可以通过RS232接口与计算机通信,组成功能更强大的分级控制系统。这使得对PTCR的测试更方便、更稳定、更高效。着重介绍了模块的设计思想、实现的功能、硬件电路的设计、软件的设计。模块的控制核心为单片机,尤其控制和协调其他各部分工作,使用C51语言编程。CPLD的编程使用的是AHDL语言,使用MAX+PLUSⅡ编译。对其他领域的顺序控制也有较大的参考价值。

In/Sb掺杂SnO_2纳米薄膜的H_2S气敏特性

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法(Sol-Gel Dip-Coating,SGDC)制备SnO2纳米晶薄膜气敏传感器。较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏性能的影响。研究结果表明:铟的最佳掺杂量为4at%,最佳镀膜层数为7层,最佳热处理温度为600℃.气敏传感器最佳工作温度为165℃,在此工作温度下,薄膜的灵敏度分别为26.3(137 ppm H2S)和2.5(2.74 ppm H2S),薄膜的响应恢复时间较短分别为8 s和22 s,对H2S气体有较好的选择性。

湿敏共聚物的制备及其敏感元件的电特性研究

利用接枝共聚反应合成了对湿度敏感的高分子材料 ,基于该共聚物制成的电阻式湿度传感器在全湿量程范围内 ,阻抗值变化了 3个数量级 ,响应时间小于 5s .对元件的湿敏特性、电压特性、频率特性、温度特性以及交流特性进行了测试 ,对其敏感机理进行了分析。

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点,提出降低内应力的方法,应用正交试验技术得出了最佳工艺条件,应用S枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为100Ω、500Ω、1000Ω的镍薄膜电阻元件,其电阻温度系数达到德国DIN43760标准.

基于团队形式的学生主动性实践评价体系研究与实践

本文研究了基于团队形式的学生主动性实践多元化评价体系。通过合理制定评价体系中的评价主体、内容和指标,并采用教师评价、学生互评和自评相结合的方法,在充分考虑实践效果的同时,可对团队中学生个体在创新性方案的提出、实践过程及论文撰写等方面进行合理评价。通过新的评价体系,团队中学生个体的主动性、积极性得到提高,同时激发了学生的创新思维,培养了其团队合作精神,提升了基于团队形式的学生主动性实践的效果。

直流磁控溅射BaTiO_3系PTCR元件电极及其性能对比的研究

目前在钛酸钡系PTC热敏电阻器的生产过程中,广泛采用烧渗铝、化学镀镍等电极制备方法,但所制备的电极湿热老化及附着力不尽人意。本文采用直流磁控溅射法制备了的PTCR元件的底电极,实现了镍与PTCR瓷片间的欧姆接触,并发现利用溅射法工艺制备了Ni电极的元件电极附着力(垂直拉力>3kg,剪切拉力>0.5kg)及耐湿热老化性能均得到提高,而且溅射工艺的高成本也得到控制,在生产上实现了批量应用(日产量可达3万片)。

厚膜一体化温湿度传感器中热敏材料的制备工艺及机理研究

概述了一体化温湿度传感器的特点及发展现状,对厚膜一体化温湿度传感器中热敏材料的设计、制备方法及特性进行了深入的研究,对实验结果进行了分析讨论。给出与一体化传感器中湿敏材料相匹配的负温度系数热敏材料的成分与阻温特性的关系,制备工艺对阻温特性及材料粒度、粒度均匀性的影响,同时,还给出了几组热敏材料的实验数据和用此材料制备的一体化厚膜温湿度传感器的特性曲线。

PTCR陶瓷化学沉积镍电极界面结构及特性的研究

通过伏安特性和阻温特性测试研究了不同沉积条件下所得化学沉积镍电极BaTiO3基半导瓷热敏电阻元件的电性能,利用扫描电镜、透射电镜和X-衍射等现代分析手段,重点分析了在不同工艺条件下得到的化学镀镍电极与PTCR陶瓷之间的纳米界面结构及其特性,得到良好的欧姆接触化学镀镍电极的实验参数。

第二届全国敏感元件与传感器学术会议(STC′91)介绍

本文介绍了第二届全国敏感元件与传感器学术会议的一般情况,我国敏感元件与传感器研究及开发取得的可喜成绩,同时还介绍了半导体传感器和微机械加工技术的发展状况。

FeCoB-Al_2O_3软磁颗粒膜磁特性研究

采用射频磁控倾斜共溅射制备了一系列的(Fe40Co40B20)1-x(Al2O3)x软磁颗粒膜。分别研究了基片转速及溅射气压对FeCoB–Al2O3薄膜微波磁特性影响。并通过改变FeCoB靶以及Al2O3靶的溅射功率进一步调控了软磁颗粒膜的磁特性和电阻率。研究结果表明在基片转速为60 r/min,溅射气压为0.2 Pa,FeCoB靶的溅射功率为250 W,Al2O3靶的溅射功率为100 W时,获得的FeCoB-Al2O3软磁颗粒膜具备了优良的软磁特性、微波磁特性和较高的电阻率。薄膜的饱和磁化强度为1.73 T,易轴难轴矫顽力均小于80 A/m,电阻率为126.75μΩ·cm,共振频率高达2.22 GHz,磁导率实部在2 GHz仍大于400。

Ca[(Li,Nb)Zr]O_(3+δ)微波陶瓷的低温烧结机理研究

研究了ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃添加对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ(CLNZ)陶瓷相转变、晶体结构及微波介电性能的影响。XRD及SEM显示,ZBS玻璃添加可使CLNZ钙钛矿陶瓷在940℃获得单相致密的结构,但当ZBS玻璃的质量分数超过10%后,陶瓷中开始出现Ca2Nb2O7型烧绿石相。在烧结过程中ZBS玻璃相富集在晶界处,表明烧结过程中它起到液相烧结助剂的作用,可有效地将CLNZ陶瓷的烧结温度从1 170℃降低到940℃。且在ZBS玻璃相的诱导下,CLNZ陶瓷晶体发生了从(121)面到(101)面的择优取向转变。在最佳烧结条件940℃、4h下,在w(ZBS)=15%玻璃掺杂的CLNZ陶瓷中,其微波介电性能为介电常数εr=32.0,品质因数与频率之积Q.f=6 640GHz,频率温度系数τf=27.1μ℃-1,且该陶瓷体系不与Ag发生化学反应,可广泛应用于低温共烧陶瓷(LTCC)领域。