不同偏压下半导体器件能带图的绘制研究

能带图在半导体物理与器件的学习中占据重要地位。深入分析PN结在零偏、正偏和反偏电压下能带图的区别与联系,得到PN结能带图绘制的一般规律,并推广这个一般规律。把金半(Metal Semiconductor,MS)接触结构当作PN结的特例直接套用PN结中总结的规律,得到MS结构的能带图。再利用介质中的电位移连续性直接得到金属-氧化物-半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)结的能带图。