络筒机筒子卷绕密度分析研究

筒子卷绕密度对卷装性能及下到工序退绕有很大影响。分析了影响卷绕密度的一些主要因素 ,对于工厂合理选择不同原料的卷绕工艺参数有一定的参考价值。

反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响

研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明:以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200～400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,立方氮化硼的含量随之增加;继续升高温度立方相含量在480℃达到极大值,这时样品中仍然是六方相氮化硼与立方氮化硼共存,但立方氮化硼占优势;继续升高温度,立方氮化硼迅速减少,六方氮化硼含量增加.

牵伸波的分析与探讨

本文对牵伸波的引发原因及其特性进行了详细论述,通过实例讲述了分析牵伸波故障源的方法,通过试验证明了粗纱机产生的牵伸波和粗纱后区牵伸倍数关系密切。

天然矿物功能晶体材料电气石的研究进展

电气石是人类发现最早的压电、热释电材料,近年来的研究发现电气石具有辐射红外线、释放负离子、抗菌、除臭以及对水具有净化和优化作用,本文综述了天然矿物电气石功能晶体材料的研究进展,介绍了国内外有关电气石开发应用的情况,提出了进行相关性能机理研究的课题。

水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素

在水热条件下成功合成了氮化硼晶体 ,为了优化实验条件 ,本文对实验过程中的影响因素进行了研究 ,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间。通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道 ,当反应原料摩尔配比N2 H4·H2 O∶H3 BO3 ∶NaN3 ∶NH4Cl为 1∶1∶3∶1时 ,在 4 0 0℃下反应 4 8h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件。

利用水引发固相反应方法合成氮化铝纳米粉

以AlCl3 和Li3 N为前驱物 ,利用过量Li3 N与水反应大量放热现象 ,引发两种前驱物之间的固相反应合成了AlN纳米粉 .X射线衍射分析、红外吸收光谱、透射电子显微镜以及X射线光电子能谱测试结果表明 ,利用这种新的合成方法制备的氮化铝主要是六方相 ,而且颗粒细小 .另外 ,这种方法反应迅速、操作过程简便 。

立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究

低温 (2 80℃ )条件下 ,通过二甲苯中AlCl3 和NaN3 的反应制备出了AlN纳米微粒。 70 0℃退火 4 8h后 ,得到了纯的立方相AlN纳米晶。通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析 ,验证了立方相AlN纳米晶的生成。经XRD和TEM分析 ,纳米晶的平均粒度约为 3nm。色质联 (GC MS)检测结果显示 ,由于AlN纳米颗粒对二甲苯的催化作用 ,使二甲苯发生聚合和杂化环反应 ,得到了二联苯、萘、蒽、三甲基咔唑及咔唑胺等多环芳烃。作为对比实验 ,分别研究了NaN3 和AlCl3 对二甲苯的催化性能 。

TiO_2-SiO_2系统凝胶玻璃薄膜折射率的研究

应用光度法研究了溶胶 凝胶系统组成、热处理温度对TiO2 SiO2 系统凝胶玻璃薄膜折射率的影响规律。随薄膜中TiO2 含量的增加以及热处理温度的升高 ,薄膜的折射率逐渐增大。通过调整TiO2 SiO2 系统的组成及适当的热处理温度 ,可实现TiO2 SiO2 系统薄膜折射率在 1.5～ 2 .

核壳型复合半导体纳米粒子的研究

核壳型复合半导体纳米粒子 ,作为复合半导体纳米粒子材料的一个重要分支 ,凭借其优异的性质 ,受到了广泛关注。本文主要介绍了有机 无机和无机 无机核壳型复合半导体纳米微粒及其光学性质、分类、制备方法和应用。并对其发展做了展望。

GaP纳米晶对溶剂热合成氮化硼的物相和微观形貌的影响

研究了溶剂热方法合成氮化硼纳米晶过程中异种晶粒对氮化硼微观形貌和物相的影响,结果表明:在不改变反应原料种类的情况下,当体系内加入GaP纳米颗粒时,制备的氮化硼纳米晶呈现"树枝"状形貌,且样品中立方氮化硼为主要物相。文中对这种微观形貌的成因进行了简单讨论。

配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究

报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。

基于产品数据管理的并纱机模块化配置系统研究

为满足产品模块化配置的需求,应用基于参数映射的模块划分方法,对并纱机产品进行了模块划分,引入层次化接口矩阵,描述了并纱机模块的接口关系。提出了面向对象的产品数据模型,并研究了它的实现机制,给出了并纱机面向对象产品数据建模方案。提出了基于产品数据管理的产品配置流程和系统框架,并以SmarTeam作为产品数据管理集成平台,阐述了并纱机模块化配置系统的具体过程,给出了FA716A型并纱机配置实例。实例表明,该配置系统实现了并纱机产品的模块化快速配置,确保了与其他计算机集成制造系统分系统的无缝集成。

合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素。GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同。制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征。发现了最优化的合成工艺条件 ,实现了GaP纳米晶的高产率(达 85 % )制备 ,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控。

纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光

低温常压下 ,在有机溶剂中制备出了氮化铝纳米晶。通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析 ,样品中立方相和六方相共存 ;经XRD和TEM分析 ,样品中颗粒的平均粒度约为 5 0nm ;在样品的PL谱中 ,在 475nm有一个非常强的由氮空位引起的发射峰 ,而在 5 5 0nm有一个由AlN的本征缺陷及纳米颗粒的表面效应引起的宽且弱的发射峰。

GaP纳米复合发光材料的制备和性质

用微波水热方法制备了GaP纳米晶 /桑色素复合发光材料 ,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响。结果表明 :在微波水热条件下 ,GaP纳米晶的晶体结构不发生变化 ,只是在复合反应后粒度有所长大 ;与纯GaP纳米晶的发光光谱相比 ,复合后材料的发光峰变窄 ,发光强度显著增加 ,而且发光峰峰位向短波方向移动 ;另外 ,复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系 。

GaP/GaN核壳型纳米复合材料的制备

核壳型纳米复合材料由于具有优异的性质,近年来是纳米复合材料重要研究内容之一,本文采用了两步溶剂热的方法合成了具有核壳结构的GaP/GaN纳米复合材料.

基于Pro/E齿轮参数化造型技术的研究与应用

针对齿轮类零件结构复杂、造型困难、使用频繁的特点 ,本文研究了在Pro/E环境下渐开线齿轮的三维参数化造型技术 ,并介绍了融合该技术和设计人员知识经验的基础上利用VisualC ++和Pro/Toolkit开发的纺机常用件三维参数化CAD造型系统。该系统不仅在纺机行业具有一定的通用性 ,其设计思想对其他行业同样具有参考和借鉴价值。

HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素。采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果。

基于模块化产品族的配置设计研究

面向大规模定制的生产方式是一种新型的生产方式,它必将取代20世纪大批量生产,成为21世纪工业的主流生产方式。如何高效便捷的配制出符合客户需求的产品是大规模生产方式成败的关键。基于模块化产品族的产品配置设计方法是解决这一问题的有效手段。文章阐述了粗纱机产品族的规划、模块的划分、基于模块化的变量配置设计、并结合粗纱机进行了实例配置。

常用件三维CAD软件系统的设计与开发

介绍了纺机常用件三维参数化CAD系统的建模思想。该系统以Pro/Toolkit为开发工具 ,采用动态链接库的方式 ,实现应用程序与Pro/E的通讯 ;软件逻辑上是四层框架结构 ,采用了模块化的设计思想 ;详述了有关关键技术 ;