应用于EoC芯片的宽带低噪声下混频器设计

基于SMIC 0.13μm RFCMOS工艺,提出了一种可应用于EoC（Ethernet over Cable）芯片接收机的输出阻抗可调（200~500Ω）的宽带低噪声下混频器,覆盖了接收机系统中1.2~2.4GHz工作频段。Cadence SpectreRF后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,该混频器的输入3阶交调点为3.5~5dBm,转换增益为10~18.2dB,单边带噪声系数为4.1~5.8dB,静态电流为20mA。该电路可在-40℃~85℃较大温度范围和3~3.6V电源电压下正常工作。

一种高性能宽带直接变频射频前端设计

提出一种宽带(250MHz^4.7GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级。低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术。带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度。仿真结果表明,当电源电压为3.3V时,总电流为9.38mA,噪声系数为9.8dB(SSB),电压转换增益为20dB,输入3阶交调为+11.8dBm。

应用于EoC芯片的1.2 GHz/2 GHz/2.4 GHz三频段上混频器

采用0.13μm RF CMOS工艺,设计了一款可应用于EoC收发芯片的三频段上混频器,通过改变接入并联LC负载谐振网络中电容的值,使电路分别工作在1.2GHz,2GHz,2.4GHz频段。在3.3V电源电压下,1.2GHz,2GHz,2.4GHz频段上,总电流为35.1mA;单边带(SSB)电压转换增益分别为3.77dB,4.97dB,4.78dB;输出1dB压缩点分别为-0.22dBm,0.78dBm,0.5dBm;噪声系数分别为5.13dB,5.76dB,6.67dB。通过控制输入跨导级的偏置实现混频器的开启和关断,上混频器的开启时间为200ns,关断时间小于100ns。

在西藏林芝引种“菲尔金”草地早熟禾建坪初探

在西藏林芝引种“菲尔金”草地早熟禾建坪初探＠魏学红＠郭东君￥西藏农牧学院牧医系在西藏林芝引种“菲尔金”草地早熟禾建坪初探魏学红郭东君（西藏农牧学院牧医系，林芝８６００００）１引言草坪绿化是现代化都市越来越重要的组成部分，它不仅美观，可以创造优雅的环境，而且...