用Ca_3N_2和Mg_3N_2合成cBN

分别以Ca3N2和Mg3N2作触媒进行cBN合成实验，对比了这两种触媒合成cBN的温度压力范围的差异，对得到的cBN晶体的形态、颜色和粒度分布等性质作了检测比较。实验结果表明，在Ca3N2-hBN系统中合成cBN的温度和压力条件较低，cBN稳定生长的温度压力范围也较宽（4．5～5．5GPa，1100～1450℃），实验的重复率较高，但得到的cBN晶体杂质较多，晶形不好。在Ca3N2-hBN系统中合成cBN所需的温度和压力条件较高，cBN稳定生长的温度压力范围与Ca3N2-hBN系统相比也很窄（5～5．5GPa，1400～1600℃）。Ca3N2作触媒得到的cBN晶体粒度偏细、晶形完整率高，抗压强度高于用Mg3N2合成得到的cBN晶体。用这两种触媒合成cBN时，添加剂（Li、Mg、Ca等具有触媒性质的物质与B、N、H等的化合物）的加入对合成结果有很大的影响，无添加剂存在时，两种触媒合成的试样中，cBN的转化率都很低，晶体的粒度很小；加入添加剂后，随添加剂加入比例的改变，cBN的转化率、粒度和颜色都有很大的变化，添加剂占实验样品重量百分比为0～4％时，cBN晶体转化率逐渐提高，晶体粒度逐渐增大，晶体颜色变深，当添加剂的重量百分比加大至5％～8％时，出现部分深棕色至黑色的cBN晶体，合成实验重复率降低。

电爆炸一步法制备Cu—Zn合金超细微粉

利用电爆炸方法以Ｃｕ６０．２Ｚｎ３９．８石合金（α相）丝为原料一步制备出该合金的超细微粉Ｘ射线衍射测量结果表明，获得的合金超细微粉的晶体结构中主要是α相，并伴有β，γ和ε相，用透射电镜观察到粒子形貌大部分呈六边形，少量为正方形及球形粒子尺寸在３０到１８０ｎｍ之间（平均尺寸为８５ｎｍ）．ＥＤＸ测试表明，电爆炸产物Ｃｕ－Ｚｎ合金不同粒子中Ｚｎ的含量在６．９％到４５．２％（原子分数）之间变化，提出了超细微粉的形成机制．

片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300～500μm的片状立方氮化硼（cBN）单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂，获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V－A特性。

PbTe的高温高压合成

以高温高压为手段 ,在 4～ 5GPa压力和 70 0～ 1 2 0 0K温度条件下 ,成功地合成出了PbTe。对合成样品进行了X射线测试分析 ,结果表明 ,合成的PbTe样品是具有NaCl结构的多晶 ,而PbTe的取向随着合成压力的升高发生变化。扫描电镜分析结果显示 :高压合成的PbTe样品 ,其晶粒有了明显的取向 ;电阻率比常压样品低 1～ 2个数量级 ,并随合成压力的升高而降低 ;热导率也同时低于常压合成的PbTe样品。以上结果说明 ,高压合成方法是改善材料性能的重要手段。

人造金刚石的晶粒性质及其相互关系的研究

金刚石颗粒的性质包括粒度、形貌、包裹体、冲击强度、抗压强度、热稳定性等 ,这些性质决定了金刚石工具最终的使用性能。本研究用 9种GE公司的金刚石为样品 ,对金刚石的上述性质进行了系统的测量 ,考察了诸性质之间的相互关系。我们的测量结果表明 :金刚石的机械性质与晶粒的形貌以及晶体内部的杂质含量等性质之间存在着重要的相互关系 ;在同种晶粒粒度条件下 ,随着品级的升高 ,机械性质冲击强度、热稳定性逐渐升高 ;在晶体形貌方面如等轴度、粗糙度、椭圆度、晶粒度、浑圆度也随品质的升高逐渐改善 ;磁化物含量越低 ,金刚石的抗压强度。

氮杂质对人造金刚石性质的影响

采用触媒渗氮方法,用触媒Co(纯度99.99%)渗氮,经不同酸洗时间后与SK2石墨合成,获得人造金刚石晶体.利用电子自旋共振(ESR)谱和摄谱方法研究氮杂质对人造金刚石性质的影响.结果表明,人造金刚石样品中顺磁氮占总氮体积分数的比例随总氮体积分数的增加而增大,金刚石变脆,抗压强度降低,颜色由黄变绿.

用铁基烧结助剂制备金刚石聚晶的研究

通过高温高压下金刚石再生长烧结方法,采用细粒度金刚石微粉作原料,铁基金属微粉作烧结助剂,在六面顶超高压设备上进行了金刚石聚晶的制备。研究了铁基金属和金刚石微粉体系再生长烧结的温度压力条件,并通过高倍光学显微镜、扫描电镜(SEM)、X-ray衍射、Raman光谱等测试手段对金刚石聚晶样品进行了内部成分和微观形貌分析。研究结果表明,在5.8GPa,1550℃条件下制备的PCD材料内部比较均匀致密。X-ray衍射和Raman光谱测试结果表明,在更高的温度条件下制备的样品内部有少量的石墨化。另外,样品内部还有部分碳化铁的存在。因此,我们认为,用Fe基烧结助剂制备的PCD材料内部除存在金刚石的自成键外,还有金刚石与金刚石之间通过铁碳键把金刚石烧结在一起的一种机制。

Mg_3N_2和Mg_3B_2N_4触媒的研究

本文由实验确定了常压下合成的Mg_3B_2N_4触媒和Mg_3N_2-BN体系在高温高压下都转变成相同的高压相Mg_3B_2N_4。本文还讨论了Mg_3B_2N_4和Mg_3N_2触媒的同异之处。认为用常压合成的Mg_3B_2N_4作为初始触媒对于合成立方氮化硼是有利的。

单向固化法制备功能梯度热电材料PbTe

利用不同掺杂剂PbI2,Al和Zr对制备热电材料n-PbTe载流子浓度的影响,采用单向固化法制备具有连续载流子浓度的功能梯度热电材料.测试结果表明,连续载流子浓度的功能梯度材料PbTe比相同浓度焊接的功能梯度材料输出效率提高约30%.

B_2O_3对合成立方氮化硼的影响

本文通过掺杂Ｂ＿２Ｏ＿３的对比合成实验，研究了Ｂ＿２Ｏ＿３对用Ｍｇ系催化剂合成ｃＢＮ的影响。通过高温高压实验研究了Ｂ＿２Ｏ＿３同Ｍｇ系催化剂在高温高压下的反应。

Ca_3B_2N_4-hBN系中立方氮化硼的膜生长机制

以Ca_3B_2N_4为触媒,在高温高压下对六角氮化硼进行处理,在六角氮化硼与触媒的交界处得到了被金属膜包覆的立方氮化硼晶体。这表明六角氮化硼到立方氮化硼的转变与人造金刚石的膜生长机制类似,立方氯化硼晶体在触媒与六角氮化硼接触处择优成核,在生长着的立方氮化硼与六角氮化硼之间存在着金属薄膜,该膜对立方氮化硼“基元”有输运作用。随着该金属膜向六角氮化硼区的推进,在其后留下生长的立方氮化硼晶体。

片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

立方氮化硼是典型的ⅢⅤ族氮化物。它不仅具有很高的硬度，是加工铁族及其合金的最有效的工具材料，而且它具有很宽的直接能隙，特别适合作高温半导体器件和短波长固体器件而备受青睐。１９６１年Ｗｅｎｔｏｒｆ在合成体系中加入重量为０．０１％～１％的Ｂｅ（以金属或盐类形式）在高压下合成出ｐ型材料，室温下晶体的电阻率为１０Ω·ｃｍ。估算出其激活能为０．１９～０．２３ｅＶ。由于晶体较小及生长不均匀，未能测定Ｈａｌ效应及吸收光谱。与此同时，Ｗｅｎｔｏｒｆ又得到了具有ｎ型特性的立方氮化硼半导体，典型值为１０～１０Ω·ｃｍ。１９８６年，Ｍｉｓｈｉｍａ等人合成出大块立方氮化硼单晶（３ｍｍ），选择不同的掺杂杂质（Ｓｉ、Ｂｅ等），得到单晶半导体。在此基础上作成的ｐ－ｎ结，ｐ－ｎ结作成了光电二极管（ＬＥＤ）。在正向偏压下，二极管能发出肉眼可见的蓝光。对立方氮化硼ＬＥＤ的光谱测量表明，其最短的可见波长为～２１５ｎｍ（～５１８ｅＶ），该值和ｍｓ型ＡＬＮ管及所知道的ＰＮ型二极管相比是最短的。在上述研究中，由于晶体形状的限制必须对小晶体切片，这是十分困难的。本实验为克服ｃＢＮ形状给测量带来的困难，从合成片状ｃＢＮ晶体入手，然后进行掺杂和电学测量。１?

MgO对合成立方氮化硼的影响

通过掺杂ＭｇＯ的对比实验研究了ＭｇＯ对用Ｍｇ系催化剂合成立方氮化硼的影响。实验表明：ＭｇＯ对合成结果有产生不利影响的一面，如在立方氮化硼晶体生长前沿形成的ＭｇＯ阻碍了ＢＮ分子向立方氮化硼晶体的扩散；包裹在立方氮化用晶体内的ＭｇＯ影响了立方氮化硼晶体的透明度等。但参与同原料中有害氧化物Ｂ＿２Ｏ＿３反应的ＭｇＯ对合成的影响是有益的。

对微小尺寸hBN、cBN晶体的电镜观测

利用高分辨率（０．２ｎｍ）电子显微镜对经高温高压处理的ｈＢＮ－触媒体系中纳米尺度的产物进行了观察，并通过电子衍射方法确定了其中的ｈＢＮ、ｃＢＮ相。结果表明，ｈＢＮ、ｃＢＮ晶粒在２００～３００ｎｍ尺寸范围内时其自身结构已确定，但其外观不具有各自的晶体特征。推断该种尺寸的晶粒处于成核生长的初期阶段，从热力学公式粗略估算。

细颗粒cBN的高温高压合成研究

在高温高压条件下（压力为4.5-5.0GPa,温度为1300℃-1500℃）采用锂基多元触媒合成出了粒度较为均一、晶形完整的细颗粒cBN。实验发现,在触媒体系确定的条件下,合成细颗粒cBN的关键在于温度压力区间以及合成时间的控制,高压低温及较短的合成时间有利于细颗粒cBN的合成。

cBN晶体的Raman光谱测量

用R1000激光共聚焦Raman光谱仪研究了高温高压合成棒中的立方氮化硼(cBN)晶体、原材料六方氮化硼(hBN)和催化剂。Raman光谱测量结果表明:伴随cBN晶体生长的散射峰,出现了两条全新的Raman散射峰(约1088 cm-1和约1368 cm-1)。该散射峰所对应的物质可能是在高温高压条件下hBN向cBN转变时生成的不完全产物——BN的一种新相。这一结果将有助于进一步讨论cBN的生长机理。

如何加强对事业单位的财务管理

中国已经入世,承诺逐步开放市场,势必对事业单位会造成影响。因此,必须适时加强对事业单位的财务管理,促进公共财政框架的建立。 1 适应新形势,转变观念 目前,对事业单位的定位和理财思路基本上是计划经济时代的模式,属于粗放型的管理。根本原因在于认识上存在偏差,即事业单位是国家重点保障的部门,入世对事业单位的影响并不明显等。

双黄连注射液治疗流行性乙型脑炎疗效观察

１９９０年～１９９７年，采用双黄连注射液治疗流行性乙型脑炎（乙脑）患者１２４例，报告如下。１病例与方法１．１病例：根据文献〔１〕诊断及分型标准确诊的乙脑患者２１０例，随机分为治疗组和对照组。全部患者脑脊液常规及生化检测基本符合急性病毒性脑炎改变，脑脊...

三聚氰胺(C_3N_6H_6)分子晶体的压致结构相变研究

本文通过对三聚氰胺 (C3N6 H6 )的室温高压原位同步辐射能量散射X -ray衍射实验(EDXD) ,在 14 .7GPa压力范围内 ,观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在 1.3GPa下 ,三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相 ;在 8.2GPa又转变为正交相。本实验结果为利用三聚氰胺碳氮有机分子晶体高温高压合成超硬C3N4