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pH值对包覆改性SiC料浆分散特性和流变性的影响 被引量:39
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作者 吉晓莉 郭兵健 +2 位作者 李美娟 鄢永高 武七德 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期113-117,150,共6页
通过zeta电位、沉降实验、流变特性、粘度等测试表征pH值对包覆改性SiC料浆分散特性和流变性的影响。研究表明:以偶联剂作为基础层,有机聚电解质作为分散功能层的有机包覆改性SiC粉体主要通过静电空间位阻效应实现稳定分散,调节pH值可... 通过zeta电位、沉降实验、流变特性、粘度等测试表征pH值对包覆改性SiC料浆分散特性和流变性的影响。研究表明:以偶联剂作为基础层,有机聚电解质作为分散功能层的有机包覆改性SiC粉体主要通过静电空间位阻效应实现稳定分散,调节pH值可以控制接枝聚合物水解产物的解离方式,从而改变了颗粒表面的电荷种类和电荷密度,包覆改性粉体的流动特性也发生变化。调整料浆pH值约11可制备出固相体积分数达56%、表观粘度为568 MPa·s的稳定料浆。 展开更多
关键词 碳化硅 表面改性 分散性 流变特性
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纯碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅的研究 被引量:19
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作者 武七德 鄢永高 +3 位作者 赵修建 郭兵健 李美娟 刘小磐 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2003年第6期1-3,共3页
以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制备了反应烧结碳化硅陶瓷。研究表明 ,素坯的碳含量 (或孔隙率 )对材料的最终物相组成有决定性的影响 ;合成 Si C时的热效应以及反应过程中的体积效应 ,是影响石油焦坯体烧结的根本原因 ;烧结时... 以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制备了反应烧结碳化硅陶瓷。研究表明 ,素坯的碳含量 (或孔隙率 )对材料的最终物相组成有决定性的影响 ;合成 Si C时的热效应以及反应过程中的体积效应 ,是影响石油焦坯体烧结的根本原因 ;烧结时间短使晶粒细化 ,是材料强度提高的主要原因。 90 %理论碳含量的素坯渗硅后 ,所得材料的密度为 3.0 8~ 3.12 g/ cm3,强度为 (5 5 0± 30 ) 展开更多
关键词 反应烧结SiC 纯碳坯渗硅 素坯结构 烧结阻塞
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以淀粉为填充剂的碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅陶瓷 被引量:9
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作者 武七德 鄢永高 +2 位作者 郭兵健 李美娟 刘小磐 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期302-306,共5页
探索了一条高性能RBSC低成本制造的新途径,本研究以石油焦粉为碳质原料制坯,玉米淀粉为填充剂调整碳坯的密度,纯碳素坯经高温渗硅得到密度为3.12g/cm3,强度为580MPa的反应烧结碳化硅陶瓷.研究结果表明掺加淀粉后素坯中含有更多的微孔,... 探索了一条高性能RBSC低成本制造的新途径,本研究以石油焦粉为碳质原料制坯,玉米淀粉为填充剂调整碳坯的密度,纯碳素坯经高温渗硅得到密度为3.12g/cm3,强度为580MPa的反应烧结碳化硅陶瓷.研究结果表明掺加淀粉后素坯中含有更多的微孔,烧结体晶粒平均尺寸为2-4μm,晶粒细化是材料性能比传统RBSC材料高的原因. 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅陶瓷 填充剂 碳坯渗硅 制备方法 显微结构 材料性能
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淀粉原位凝固成型纯碳反应烧结碳化硅坯体的研究 被引量:15
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作者 武七德 李美娟 +1 位作者 鄢永高 郭兵健 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期224-228,共5页
研究了一种新的陶瓷原位凝固成型方法 ,其原理是依据淀粉颗粒在水中润胀吸水 ,在加热时产生糊化的特性。在固相体积分数接近5 0 %的碳粉料浆中引入约 3%质量分数的淀粉 ,用水浴加热糊化的方法即可原位凝固成型各种形状的陶瓷部件 ,获得... 研究了一种新的陶瓷原位凝固成型方法 ,其原理是依据淀粉颗粒在水中润胀吸水 ,在加热时产生糊化的特性。在固相体积分数接近5 0 %的碳粉料浆中引入约 3%质量分数的淀粉 ,用水浴加热糊化的方法即可原位凝固成型各种形状的陶瓷部件 ,获得致密、均匀的坯体。研究了淀粉 -碳粉料浆的流变学特性 ,单纯淀粉料浆呈现膨胀型流动 ,含淀粉的碳粉料浆悬浮液的表观粘度随淀粉的加入量的增加而提高。料浆中淀粉的加入量应控制在原料干基质量的 1%~ 5 %范围内 ,料浆分散条件为中性。 展开更多
关键词 碳化硅 淀粉 原位凝固成型
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改性SiC粉制备高固相含量SiC/炭黑料浆的研究 被引量:10
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作者 吉晓莉 郭兵健 +2 位作者 武七德 鄢永高 李美娟 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2004年第1期11-14,共4页
利用淀粉原位凝固成型技术可制备具有形状精度高、致密、均匀的各种复杂形状的陶瓷坯体 ,高固相含量、低粘度料浆的制备是淀粉原位凝固成型工艺的关键技术。通过对 Si C粉进行表面包覆改性和选用合适的分散剂对炭黑粉进行有效分散的方... 利用淀粉原位凝固成型技术可制备具有形状精度高、致密、均匀的各种复杂形状的陶瓷坯体 ,高固相含量、低粘度料浆的制备是淀粉原位凝固成型工艺的关键技术。通过对 Si C粉进行表面包覆改性和选用合适的分散剂对炭黑粉进行有效分散的方法 ,成功制备固相体积分数达 6 3%、表观粘度为 6 6 3m Pa· s的改性 Si C/炭黑稳定料浆。并研究了分散剂用量、料浆 p H值、体系固相体积分数对料浆流变性的影响。 展开更多
关键词 SIC 表面改性 流变特性
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有机包覆改性SiC粉体水基分散稳定机制的研究 被引量:6
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作者 李美娟 武七德 +1 位作者 吉晓莉 郭兵健 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2004年第3期1-4,共4页
通过硅烷偶联剂处理以及丙烯酰胺单体在其颗粒表面上的接枝聚合对 Si C微粉进行表面改性 ,获得了在酸碱条件下均可水基稳定分散的有机包覆改性 Si C粉体 ,制备出固相体积分数≥ 5 0 %、表观粘度在 1Pa· s以下、稳定性好的Si C料浆... 通过硅烷偶联剂处理以及丙烯酰胺单体在其颗粒表面上的接枝聚合对 Si C微粉进行表面改性 ,获得了在酸碱条件下均可水基稳定分散的有机包覆改性 Si C粉体 ,制备出固相体积分数≥ 5 0 %、表观粘度在 1Pa· s以下、稳定性好的Si C料浆。以 FTIR光谱、离子电导率、Zeta电位的测试结果来表征改性前后粉体表面物质的化学组成和 Si C颗粒的胶体行为 ,以料浆粘度和流动特性来表征改性对 Si C粉体分散性的影响 ,从而进一步分析有机包覆改性 Si C粉体水基分散的稳定机制。结果表明 :聚丙烯酰胺高分子链产生的空间位阻和 Si C颗粒表面的静电效应是料浆稳定分散的重要原因。 展开更多
关键词 SIC 有机包覆 水基分散 高固相含量料浆
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以单质Si、C原料制备反应烧结碳化硅的研究 被引量:7
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作者 武七德 郭兵健 +1 位作者 鄢永高 李美娟 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2003年第4期1-4,7,共5页
以 C- Si坯体融渗 Si的方法制备反应烧结碳化硅 ,研究了坯体中 Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响。 C转化为 Si C时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。 Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段 ,使 Si C的转... 以 C- Si坯体融渗 Si的方法制备反应烧结碳化硅 ,研究了坯体中 Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响。 C转化为 Si C时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。 Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段 ,使 Si C的转化率得以提高。烧结过程研究表明 ,预掺 Si使部分 Si C的合成反应提前进行 ,反应发热得以减缓。当调整坯体中 C含量为 0 .84 g/ cm3时 ,制得了密度与断裂强度分别为 3.0 9g· cm- 3和 5 5 0± 2 5 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 硅填充剂 显微结构
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分散剂对改性SiC料浆流变性的影响 被引量:3
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作者 武七德 郝慧 +3 位作者 吉晓莉 郭兵健 孙峰 周波 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期511-514,共4页
研究了分散剂对1种有机包覆改性SiC粉水基分散料浆的流变特性的影响.结果表明,分散剂的种类,用量对料浆的Zeta电位、粘度、触变性均有较大的影响.分散剂四甲基氢氧化铵比聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酸钠更为有效.当四甲基氢氧化铵的量为... 研究了分散剂对1种有机包覆改性SiC粉水基分散料浆的流变特性的影响.结果表明,分散剂的种类,用量对料浆的Zeta电位、粘度、触变性均有较大的影响.分散剂四甲基氢氧化铵比聚乙烯醇、聚乙二醇、聚丙烯酸钠更为有效.当四甲基氢氧化铵的量为0.8%(质量分数)时,可使改性SiC微粉的Zeta电位绝对值提高30 mV,在剪切速率为80 r/min时,料浆粘度为166.5 mPa·s(55%,体积分数,下同),触变性降低.由此制得了固相含量为60%、低粘度的SiC陶瓷料浆. 展开更多
关键词 碳化硅 包覆改性 分散剂 流变性
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PCRBSC材料的原位凝固成型制备 被引量:3
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作者 李美娟 武七德 +1 位作者 郭兵健 鄢永高 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第2期26-29,37,共5页
依据淀粉颗粒的水中润胀吸水 ,在加热时产生糊化的特性 ,实现了一种新的陶瓷原位凝固成型方法。在固相含量接近 5 0 % (体积分数 )的SiC陶瓷料浆中引入约 3 % (质量分数 )的淀粉 ,用水溶加热的方法可以原位凝固成型各种形态的SiC陶瓷部... 依据淀粉颗粒的水中润胀吸水 ,在加热时产生糊化的特性 ,实现了一种新的陶瓷原位凝固成型方法。在固相含量接近 5 0 % (体积分数 )的SiC陶瓷料浆中引入约 3 % (质量分数 )的淀粉 ,用水溶加热的方法可以原位凝固成型各种形态的SiC陶瓷部件 ,获得致密、均匀的PCRBSC和RBSC坯体。经真空渗硅 ,制备出微观结构均匀 。 展开更多
关键词 PCRBSC材料 原位凝固成型 制备 SIC 碳化硅陶瓷 淀粉
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成型工艺对PBRBSC素坯及烧结体性能的影响
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作者 刘小磐 赵修建 +2 位作者 武七德 郭兵健 徐学文 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2003年第3期20-22,共3页
研究了不同成型工艺对 PBRBSC的素坯结构及烧结体显微组织的影响。研究发现 ,用原位凝固工艺获得的素坯比用干压和注浆成型的素坯孔径分布更加均匀 ,具有单峰性 ,孔洞形状规则。干压和注浆成型的烧结体中有大块残 C与残余 Si,而原位凝... 研究了不同成型工艺对 PBRBSC的素坯结构及烧结体显微组织的影响。研究发现 ,用原位凝固工艺获得的素坯比用干压和注浆成型的素坯孔径分布更加均匀 ,具有单峰性 ,孔洞形状规则。干压和注浆成型的烧结体中有大块残 C与残余 Si,而原位凝固工艺的烧结体无大块残余 Si和 C,它们都弥散分布在基体中。 展开更多
关键词 全碳反应 SIC 原位凝固
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Influence of Li2O Addition on the Performance of Vitrified Bond and Vitrified Diamond Composites 被引量:4
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作者 郭兵健 JIANG Hongyi 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2020年第4期699-705,共7页
In order to develop high-performance diamond wheels,the vitrified bond with different contents of Li2O addition and corresponding diamond composites were prepared.The experimental results show that the addition of a s... In order to develop high-performance diamond wheels,the vitrified bond with different contents of Li2O addition and corresponding diamond composites were prepared.The experimental results show that the addition of a small content of Li2O leads the formation of the mullite phase in vitrified bond.When the Li2O content is 3wt%,the mullite content in the vitrified bond reaches the maximum.Whereas,the vitrified bond turns into a pure glass phase when the Li2O content further increases to 5wt%.The softening temperature of vitrified bond,wetting angle between the vitrified bond and the diamond film decrease with the increasing of the Li2O content.The softening point of the vitrified bond with 5wt% Li2O is 537 ℃ and the contact angle is 32°,which are 44 ℃ and 44° lower than those of the sample without Li2O.The CTE (coefficient of thermal expansion),the flexural strength and hardness of the diamond composite sample first increase and then decrease with the increasing of the Li2O content.When the Li2O addition is 3wt%,the flexural strength and hardness of the composites reaches the maximum values of 93 MPa and 98 HRB,respectively,which are 43.1% and 12.6% higher than those of the sample without Li2O. 展开更多
关键词 Li2O addition PERFORMANCE vitrified bond vitrified diamond composite
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掺杂浓度对重掺硼直拉<111>单晶硅小角晶界的影响 被引量:1
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作者 孙新利 黄笑容 +4 位作者 徐一俊 郭兵健 何国君 陆燕 祖国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期855-860,共6页
小角晶界是重掺硼直拉〈111〉单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×10^19 cm-3。分析研究小角晶界的宏观分布及形... 小角晶界是重掺硼直拉〈111〉单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×10^19 cm-3。分析研究小角晶界的宏观分布及形态特征,其宏观分布与晶体各项异性具有一致性,并随掺杂浓度变化而规律性变化。利用位错模型计算小角晶界两侧晶向差为0.6”~12.76”,其晶向差随掺杂浓度增加而逐步变大。根据位错模型计算并分析自由能与掺杂浓度的关系,得到样品中宏观长度下小角晶界自由能为5.037×10^-10~7200.421×10^-10 J,并随着掺杂浓度增加而逐步变大。此外结合生长工艺和晶格补偿原理,提出高掺杂浓度下避免小角晶界的方法,并得到无小角晶界的重掺硼单晶硅,对实际生产有重要意义。 展开更多
关键词 小角晶界 掺杂浓度 单晶硅 重掺硼 晶格补偿
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