Sn掺杂BZT薄膜性能研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4%时,出现了第二相BaO;SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少;当Sn掺量达到8%时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小;BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm。

退火温度对BZT薄膜介电性能的影响研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。X射线衍射分析表明,该BZT薄膜为钙钛矿结构而无其它物相存在。光学显微镜分析结果表明,退火温度为900℃时,BZT薄膜表面光滑平整,无裂纹产生;同时其介电常数最大而损耗最低。