LED显示屏亮度和颜色的调整方法

介绍了双基色LED显示屏的扫描原理、扫描电路及其调整方法。分析了扫描电路驱动74HC595的技术参数及工作状态,给出了3个公司的74HC595的技术参数表,并对参数进行了分析。

自动换量限的数字万用表

介绍了自动换量限的数字万用表。阐述了万用表升降量限的触发状态原理、电路结构 ,控制 A/ D转换器输出数据实现自动升、降量限 ,具有模拟电路和数字电路低功耗 (工作电流≤ 4 m A)、成本低等优点。

磁传感器的非线性误差修正技术

介绍了最小二乘法多项式曲线拟合的原理和方法,以及该方法在磁传感器误差修正中的应用。对磁传感器的测量数据进行处理,利用计算机的高级语言计算拟合函数的系数,设定拟合准确度,得到函数的系数,将系数转换成十六进制数,保存到仪器的微计算机中,利用汇编语言编制误差修正程序,对测量误差进行自动修正。

磁传感器及其应用

介绍了磁传感器和由它组成的磁场测量系统。对磁传感器的非线性、温度误差进行补偿。通过对磁场曲线形状的处理 ,测量数据误差计算 ,判断出最大误差点和数值。通过打印机绘图仪输出了磁条的磁场 (B)与长度 (L)的曲线、磁辊的磁场 (B)与角度 (DEG)

光湿敏元件及特性

介绍硅衬底的半导体陶瓷材料钛酸镧锶 (Sr1-x Lax Ti O3 )光湿敏元件的工作原理及结构 ,MIS结构元件的光湿敏特性参数和曲线。利用光湿敏元件研制成光湿敏传感器和测量仪 ,智能光湿敏测量仪具有软件湿度补偿、智能判断声光报警等特性。

基于CPLD的计算机接口电路设计技巧

本文介绍了利用计算机ISA、PCI总线和打印机接口设计密码电路。基于CPLD设计密码电路．具有加密性能好的特性。通过并行打印机接口设计一个密码电路，密码存储在电路中，通过操作接口读取密码。ISA总线可以直接读取电路密码．PCI总线可以通过W89C940af对密码电路进行操作，读取设置密码。

发光二级管照射对腰部理疗作用分析

发光二级管照射对腰部理疗的临床试验 ,并对理疗效果进行了分析。设计发光二极管阵列 ,通过理疗部位的调整 。

自动换量限的便携式测磁仪

本文介绍了自动换量限的智能便携式测磁仪,双积分式A/D转换器ICL7106具有直接数字输出的特性,利用该特性设计一组自动升、降量限电路。电路主要包括数字记忆、数值比较、状态锁存等自动换量限处理电路,自动升、降量限的状态是稳定的。测磁仪具有换量限和测量性能稳定,工作电流≤4mA,生产成本低。

SHT-C型数字式特斯拉计

本文介绍了利用双单片机和高精度16位A/D转换器构成的高精度、高性能的数字式特斯拉计的性能、精度补偿方法。

智能刚度测量仪

本文介绍了高精度光栅位移传感器，经过对光栅输出的电信号的电路和软件细分等处理后，智能光栅传感器的测量范围２０ｍｍ，分辨率１μｍ、由位移传感器、压力传感器和测试台组成智能波纹管刚度测量仪系统。在测量系统中对由压力产生的位移误差以及压力的非线性误差进行误差补偿，提高测量精度一个数量级别，最后测量精度为２‰。刚度测量仪可以自动测量波纹管，测量时间１０秒／件，最后由打印机直接打印出所测量刚度、压力、位移的数值。

新型光湿敏元件及应用

介绍了利用硅作衬底的陶瓷钛酸镧锶 (SrLaTiO3)材料的半导体元件 ,独特的MIS结构元件 ,既具有光的特性 ,又可以测量湿度信号。利用光、湿敏特性元件设计成光。

双基色电子显示屏设计研究

介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,并分析了其设计的几种方法,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能。

基于计算机总线的CPLD加密电路

本文采用计算机ISA、PCI总线和打印机接口设计加密电路。利用CPLD设计电路,具有加密性能好的特点。通过串行EEPROM AT93C46设计一个并行加密电路,密码存储在电路器件中。ISA总线直接对CPLD进行读取密码。PCI总线可以通过W89C940af对CPLD操作,读取设置密码。

基于CPLD的计算机接口电路设计技巧

本文介绍了利用计算机ISA、PCI总线和打印机接口设计密码电路。基于CPLD设计密码电路,具有加密性能好的特性。通过并行打印机接口设计一个密码电路,密码存储在电路中.通过操作接口读取密码。ISA总线可以直接读取电路密码.PCI总线可以通过W89C940af对密码电路进行操作,读取设置密码。

Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明：N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。

Zn,Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理的平面波超软赝势方法(USPP),对Zn,Cd掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数。计算了掺杂AlN晶体的结合能、电子态密度、差分电荷密度,并对计算结果进行了细致的分析。计算结果表明,Cd、Zn都可以提供很多的空穴态,是良好的p型掺杂剂,但是相对于Cd,Zn原子在AlN晶体中的溶解度更大,并且可以提供更多的空穴,有利于形成更好的p型电导。

Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究

采用密度泛函理论(DFT)的总体能量的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Ni掺杂AlN32原子超原胞体系分别进行了几何结构优化,计算和分析了Ni掺杂AlN的结构、能带、电子态密度、集居数及体系总能.结果表明,Ni掺杂AlN会产生自旋极化,能带结构显示6.25%Ni掺杂AlN呈现半金属性质,有铁磁性,铁磁性可以用Ni和相邻的N之间的p-d杂化机制来解释.Ni掺杂的AlN应该是一种有应用前景的稀磁半导体DMS.

Mg,Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理的平面波超软赝势方法(USPP),对Mg,Cd掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和掺杂体系的晶体结构参数.计算了掺杂AlN晶体的结合能、电子态密度、差分电荷密度,并对计算结果进行了细致的分析.计算结果表明,相对于Cd,Mg在AlN晶体中可以提供更多的空穴,有利于形成更好的p型电导.

传感器的误差补偿技术

介绍了多项式曲线拟合原理和方法。并借助计算机高级语言程序 ,分别建立传感器磁场与温度、磁场与非线性输出的拟和函数。计算拟和函数的系数 ,系数确定后可以建立拟合曲线函数 ,对磁敏传感器的非线性、温度误差补偿 ,通过实验证明了方法可行。

Co和Mn共掺杂ZnO铁磁性的第一性原理

基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Co单独掺杂ZnO和(Co,Mn)共掺杂ZnO的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了纤锌矿结构ZnO、Co-ZnO及(Co,Mn)共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度,并对此进行了详细的分析。计算结果表明,ZnO中单独掺杂Co元素显示出铁磁性行为,Mn的引入减弱了Co-ZnO的铁磁性。