电子级正硅酸乙酯制备技术研究进展

正硅酸乙酯兼顾无机材料和有机材料的性能,广泛应用于化工、电子电气等诸多领域。重点介绍了电子级正硅酸乙酯的应用领域,比较了工业级正硅酸乙酯与电子级正硅酸乙酯的产品组分、颗粒度以及杂质含量。针对工业级正硅酸乙酯与电子级正硅酸乙酯质量上的差距,综述了目前国内外电子级正硅酸乙酯制备工艺的研究进展,包括络合分离、吸附和离子交换、组合精制等技术,这些技术均以工业级正硅酸乙酯为原料,通过有效去除正硅酸乙酯中的水分、氯离子、金属离子和其他杂质等,获得电子级正硅酸乙酯产品。通过对比各种提纯方法,展望了电子级正硅酸乙酯提纯技术的发展方向。

超疏水表面润湿理论研究进展

超疏水表面在表面自清洁、防雾防霜、防腐蚀、油水分离以及过程强化等方面具有巨大应用潜力。超疏水表面润湿理论由于涉及到表面结构的优化设计,有利于指导超疏水表面的制备,因此受到广泛关注。综述了超疏水表面润湿理论的理论基础及新进展,内容涉及到经典的Wenzel理论和Cassie理论、滚动角的计算、两种接触状态之间的转换以及微纳米分层结构的重要性等,并展望了超疏水表面润湿理论前景。

光纤用四氯化硅制备研究进展

重点介绍了光纤用四氯化硅的制备工艺,包括精馏法、吸附法、部分水解法、光氯化法、等离子法以及这些方法的组合。对比分析了上述方法的优缺点,展望了光纤四氯化硅制备工艺的发展方向。此外,还简要介绍了光纤用四氯化硅的应用及经济概况。

流化床制备粒状多晶硅研究进展

流化床制备颗粒多晶硅具有能耗低、成本低以及可连续化生产的优点。但受限于技术难度大、控制系统复杂等因素,目前尚未得到广泛推广。针对此,文章介绍了流化床制备多晶硅工艺的原理及发展历史,并对流化床制备颗粒多晶硅的发展前景进行了展望。

三氯氢硅的安全生产

三氯氢硅是生产多晶硅的主要原料,而高纯度的三氯氢硅是重要的硅外延片用电子特气,是制造电子元器件精密加工从而推动信息化和工业化深度融合的关键基础原材料。但三氯氢硅在空气中极易燃烧,其生产、检测、充装、仓储以及运输过程中都存在较大的安全风险。介绍了三氯氢硅的物性特点,从工艺设计、物料输送、生产管控、储存以及充装等方面进行全方位安全分析,并采取有效的防范措施和合理的建议,使安全风险降低到可控范围内,提升三氯氢硅的安全生产水平,确保三氯氢硅可以安全高效地应用于光伏及半导体行业。

海绵钛生产现状及发展展望

钛作为重要的稀有金属材料,具有密度小、强度高、耐热、耐腐蚀性好的突出优势,有着广泛的应用前景。本文综述了海绵钛的各种生产方法,并对海绵钛生产过程中存在的问题进行了分析,最后探讨了海绵钛制备技术发展方向。

差压耦合联合热泵精馏在SiHCl_3提纯过程中的模拟

文章针对多晶硅生产时三氯氢硅提纯过程能耗高的特点,运用化工模拟软件Aspen Plus,采用差压耦合联合热泵精馏技术对传统的三氯氢硅双塔提纯工艺进行的节能模拟分析。计算结果表明:在处理量相同的情况下,与传统精馏提纯工艺以及差压耦合精馏技术相比,能耗费用分别节约83.9%和68.1%。

四氯化硅氢化工艺研究进展

在西门子法生产多晶硅过程中会产生Si Cl4副产物,为了降低生产的成本,同时最大限度的减少对环境的破坏,综合利用这一副产物成为首要的问题。而Si Cl4加氢氢化为处理这一副产物提供了最有效的手段。针对此,笔者介绍了热氢化、冷氢化、氯氢化和等离子氢化四种工艺的技术特点和发展现状,并对冷氢化工艺的发展前景进行了展望。

四氯化硅的安全生产

随着光伏与集成电路产业的高速发展,多晶硅的需求量日益增加。四氯化硅是采用西门子法生产多晶硅过程中的大量副产物,其工业用途广泛。在四氯化硅生产、储存、运输过程中,安全事故屡见不鲜,危及自然环境与人身安全。简单介绍了四氯化硅的物性,重点分析了其安全生产以及预防和应急处理措施,旨在提高四氯化硅生产企业的安全管控。

先进硅基前驱体的应用研究与技术进展

前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础,综述了业界几种较为流行的硅基前驱体材料的结构与性能,其中包括二氯硅烷(DCS)、乙硅烷(DS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、四甲基硅烷(4MS)、六氯乙硅烷(HCDS)、双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)、双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)、三(二甲胺基)硅烷(3DMAS)和三甲硅烷基胺(TSA)。系统介绍了硅基前驱体的应用现状和研究进展,并对其合成和提纯工艺进行了探讨。

高纯八甲基环四硅氧烷制备工艺研究进展

高纯八甲基环四硅氧烷广泛应用于光通讯行业,更是集成电路等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑材料之一。文章重点介绍了高纯八甲基环四硅氧烷(D4)的除杂提纯工艺,包括精馏法、络合精馏法、结晶-真空抽滤法、金属去除剂除杂法,分析了各个方法的优点及限制其广泛应用的制约因素,最后展望了高纯八甲基环四硅氧烷提纯除杂技术未来的发展方向。

四氯化硅综合利用现状及发展趋势

介绍了西门子法多晶硅的副产物四氯化硅的综合利用技术及其现状,从原理、工艺优缺点、存在问题、改进方向等方面介绍了四氯化硅制备气相白炭黑、硅酸乙酯、光纤预制棒及三氯氢硅的应用,重点介绍了四氯化硅氢化技术的最新进展,指出了氢化技术上的难题,并提出解决建议,为国内多晶硅技术开发提供了方向和指导。

高纯及超高纯四氯化钛制备技术研究进展

四氯化钛是钛及其化合物生产中的重要中间产品,钛工业的重要原料,有着极其广泛的应用。综述了通过除钒、蒸馏、精馏、多级精馏等方法以及这些方法的组合来制备高纯四氯化钛;阐述了在高纯四氯化钛的基础上,通过吸附、汽提、蒸馏、亚沸蒸馏、多级精馏等方法以及此类方法的组合,来制备可应用于半导体行业的超高纯四氯化钛。对超高纯四氯化钛的制备工艺进行探讨,并展望超高纯四氯化钛制备工艺的发展趋势和方向。

硅基电子气体的安全生产

硅基电子气体是太阳能光伏、光通讯、集成电路产业的基础原材料,近年来市场需求量日益增长,国产化趋势显著。重点分析了硅基电子气体的物理化学性质、危险特性,结合硅基电子气体的生产制备设备及工艺,分析系统不同阶段下的风险隐患,针对性制定有效的管控措施,包括设备安全管控和生产安全管控等。通过各种有效安全管控措施,确保硅基电子气体生产、检测、储存、充装及运输等过程的本质安全。最后展望了硅基电子气体安全生产的发展趋势和方向。

二氯二氢硅的安全生产

二氯二氢硅在半导体行业有广泛的应用,是一种重要的电子级硅基原料,但是二氯二氢硅在生产、充装、仓储、运输、使用的过程中有较大的安全风险。重点介绍了二氯二氢硅用途前景以及在制造前期和制造过程中所面临的安全问题,从工艺设计、选址、物料输送、生产管控、储存以及充装、副产品处理等方面,进行全方位安全分析,并采取有效的防范措施,将安全风险控制在可控范围之内,提升了二氯二氢硅的安全生产水平,确保二氯二氢硅可以安全地应用于半导体行业,顺利推进二氯二氢硅的国产化。

六氯乙硅烷的制备工艺研究进展

重点介绍了半导体原料六氯乙硅烷的制备工艺,包括精馏法、吸附法、萃取法、光氯化法以及这些方法的组合。对比分析了上述方法的优缺点,展望了半导体原料六氯乙硅烷制备工艺的发展方向。此外,还简要介绍了发展六氯乙硅烷制备工艺对多晶硅厂商的重要意义。

高纯四氯化硅生产尾气的处理工艺

文章提出了一种利用亚硫酸钠和氢氧化钠混合溶液处理高纯四氯化硅生产中产生的含氯尾气的处理工艺,该工艺可深度去除高纯四氯化硅生产过程产生的多组分尾气的次氯酸盐成分。检测结果表明处理尾气产生的废水次氯酸根离子浓度去除率可达到98.7%,反应后的混合液不产生氯气。该工艺具有流程简单、可连续化操作、处理量大、适用性强等特点。完全可以满足高纯四氯化硅生产工艺中尾气处理的要求。

制取苯酐模型的S系统解析

高精度的数值法被用于求解邻二甲苯制取苯酐模型中。此方法是将基本的微分方程改写为S系统(synergisticandsaturablesystem)的标准形式,结合变阶变步长的泰勒级数法进行求解,得到了不同进料温度和不同压强下的苯酐和二氧化碳收率分布以及反应器床层的轴向温度分布曲线,并与龙格库塔法的计算结果做了对比。分析得出热点温度和苯酐及二氧化碳收率随着进料温度增大而增大,同时苯酐及二氧化碳收率也随着操作压强的增大而增大。当进料温度为638K时热点温度变的非常高,而且进料温度相差1度时热点温度会相差几十度。精确求解不同进料温度和操作压强下的热点温度对工程实际操作中催化剂的保护和设备维护有着十分重要的指导意义。

电子信息用超高纯三氯氢硅和四氯化硅制备关键技术及产业化

电子级三氯氢硅是半导体行业不可或缺的电子特种气体原材料,随着我国集成电路行业快速增长,对电子级三氯氢硅的需求呈日益增长态势,但该关键基础原料国内主要依赖进口.因此,2015年的国家工业转型升级重点项目中,把高纯三氯氢硅作为"工业强基"中"关键基础材料"具体支持方向,推动芯片用电子级三氯氢硅的稳定发展.