一维硅纳米材料形貌的研究

一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料，由于其形貌不同，导致的电学等特性也不相同，因此一维硅纳米材料的形貌是重要的研究内容之一。一维硅纳米结构包括纳米线、纳米带及纳米管等，同种一维硅纳米材料由于制备方法不同其形貌也不相同。评述了一维硅纳米材料的形貌及其制备方法。

从ITIL视角促电网企业信息化深化应用

党的十七大明确提出五化并举(工业化、信息化、城镇化、市场化、国际化)、两化融合(工业化、信息化),国家电网公司信息化发展面临新的形势和机遇。2009年公司信息化SG186工程胜利竣工,2010年开始正式启动SG-ERP信息化战略工程,同时在国网公司启动的国家战略智能电网规划中,更是把信息化放在三化之首,信息化在企业中的支撑引领地位不断地凸显出来。如何更好地发挥出信息化的支撑引领作用,不仅依赖于信息化基础建设水平和运行水平,而且更需要不断促进信息化的深化应用。文章从ITIL视角思考,提出促进电网企业信息化深化应用的三层观点。

硅纳米线的掺杂工艺与检测

掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。

一种基于语料库的词义消歧策略

词义消歧一直是一个难点,同时,也是很多领域都需解决的一个环节。该文首先介绍了目前基于语料库进行词义消歧方法的研究进展和各自的特点,在此基础上探讨了一种基于实例和基于统计的方法(即基于语料库的两种主流方法)相结合的混合策略,并对其可能性和优越性进行了讨论。

水热法及溶剂热合成法制备Ⅳ族一维无机纳米材料

一维纳米材料由于具有优异性能成为了近年的研究热点之一,水热法及溶剂热合成法是近年来发展起来的合成一维纳米材料的有效方法。评述了近年来这两种方法在合成Ⅳ族一维无机纳米材料方面的研究现状与最新进展,重点介绍了水热法合成碳纳米管和纳米丝以及溶剂热合成法合成硅、锗纳米线等一维无机纳米材料的进展情况。最后比较了这两种方法的优缺点并对其发展作了展望。

硅纳米线的电学特性

总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。

硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。

硅纳米管的水热法合成与表征

采用水热法成功合成了新型的硅纳米管一维纳米材料,并采用透射电子显微镜、选区电子衍射分析、能量色散光谱及高分辨透射电子显微镜对合成的硅纳米管进行了表征.研究表明硅纳米管是一种多壁纳米管,为立方金刚石结构,生长顶端呈半圆形的闭合结构,由内部为数纳米的中空结构,中部为晶面间距约0.31nm的晶体硅壁层,最外层为低于2nm的无定形二氧化硅等三部分组成.

纳米碳纤维的批量制备和应用

纳米碳纤维具有优异的物理和化学特性,在复合材料、电子器件、储氢等领域极具应用价值,批量制备低成本的纳米碳纤维是应用的关键。介绍了纳米碳纤维批量制备的方法,并对纳米碳纤维的应用和市场前景进行了评述。

碳纳米纤维制备的研究进展

讨论了碳纳米纤维与碳纳米管的本质区别；介绍了多种碳纳米纤维制备的研究方法和化学气相沉积(CVD)法制备碳纳米纤维的研究进展；并对各种制备方法的优缺点进行了评述；同时讨论了影响气相生长碳纳米纤维的各种因素。

一维硅纳米材料的光学特性

硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景。总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(PL)的最新进展情况,同时涉及了硅纳米管在PL发射光谱方面的研究结果。

硅纳米线的表征、性能及应用

硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊的光致发光、场发射、电子输运等性能,可以实现在纳米传感器等多种纳米电子器件及合成其它纳米材料的模板方面的应用.本文综述了硅纳米线的表征、性能及应用的最新进展.

氧化物辅助生长硅纳米线

氧化物辅助生长机理是近年来在合成硅纳米线的过程中发展起来的一种研究一维纳米材料生长的机理,根据此机理已经制备出了多种一维纳米材料。介绍了氧化物辅助生长机理及其根据此机理制备硅纳米线的制备方法,载气、压力及原料等不同条件对合成硅纳米线的影响等进展情况,并对其发展作了展望。

硅纳米管的研究进展

元素硅是sp^3杂化，而不是易于形成石墨管状结构的sp^2杂化，所以具有这种sp^3杂化键的物质难于形成中空一维硅纳米材料，即硅纳米管。综述了硅纳米管及性能的理论研究，同时论述了采用模板法合成硅纳米管的最新实验进展情况，指出了目前硅纳米管的研究中需要解决的一些问题，并展望了发展。

硅纳米线的合成及表征

目前已通过气液固生长机理及氧化物辅助生长等机理合成了大量硅纳米线,电镜、能量色散X射线分析、X射线光电子能谱、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱、IV测量、光致发光、场发射、电子输运测量等是表征硅纳米线的有效手段,介绍了硅纳米线在合成及表征方面的最新进展,并对其发展做了展望。

纳米碳材料场发射特性研究进展

碳纳米结构材料如纳米碳管、纳米金刚石、纳米碳纤维都具有良好的场电子发射性能,它们低的发射阈值和高发射电流密度极具应用潜力。该文对这几种碳纳米结构材料的场发射特性的研究进展进行了评述,着重讨论了影响场发射材料的性能指标,并讨论了研究中存在的问题。

快速成型技术

快速成型是目前被讨论得很火热的一个话题,它被发达国家经济学家和制造业者赋予了很高的期望。美国的学者认为利用快速成型技术能够让制造业回归美国本土,并实现制造地与研发设计、消费者所在地的接近,从而形成新的生产组织模式。

选择激光烧结材料研究进展

快速成型技术是近年来逐渐流行的一种快速制造模型和样件的工艺方法,本文对快速成型中的选择性激光粉末烧结技术(SLS)进行了简要介绍。主要内容包括:部件结构、工艺过程和工艺材料等,最后又对工艺材料的发展过程进行了整理与论述。

双偏压辅助HF-PECVD沉积纳米金刚石薄膜工艺参数的AFM分析

采用双偏压辅助热丝-等离子增强化学沉积系统制备了纳米金刚石薄膜。采用AFM、SEM、Raman等考察了不同工艺条件对纳米金刚石薄膜形貌、粗糙度、内部结构等的影响。结果表明,热丝温度降低,所形成薄膜的晶粒尺寸变大,薄膜表面高低起伏较大,粗糙度也随之增大;随着射频输出功率的增大,等离子体轰击基底的能力增强,但过大的功率会使构成薄膜的晶粒变大;随着偏压的不断增大,氢离子体对薄膜表面的刻蚀程度逐渐增大,从而有利于形成纳米金刚石薄膜。

弱酸环境下硅纳米线的水热可控合成及其光学性能

以去离子水为溶剂,SiO为硅源,调节溶液的pH为6,加热至470℃,8 MPa保温8 h,成功制备出硅纳米线。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射显微镜(TEM)对硅纳米线进行了结构和形貌表征,采用光致发光(PL)光谱分析了硅纳米线的光学性能。结果表明:硅纳米线为立方金刚石结构,其生长端呈半圆形的闭合结构,纳米线由晶面间距约0.31nm的晶体硅内核与厚度小于10 nm的无定形氧化硅外鞘两部分组成;PL光谱显示硅纳米线在431 nm和462 nm处具有良好的发光性能。