包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响

利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高.在60 V偏压下,包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1,包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍.结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试,得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射.

基于自准直仪的测角传感器实时在位校准方法

提出了一种基于自准直仪的在位校准方法。基于圆周封闭原则和傅里叶级数的性质,建立了测量值与理想值之间的函数关系,利用理想刻线位置和实际刻线位置的偏差,获得了校准曲线,详细推导和分析了校准原理,搭建了校准测角系统,并进行了实验验证。实验结果表明,单读数头测角传感器原始测角误差为734.8″,校准后误差为2.4″,且校准效果优于常用的谐波补偿方法,校准系统的重复性优于0.13″。在位校准方法能够有效减小测角误差,且方法简单,校准效率高。