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基于小波最小二乘支持向量机的加速度计温度建模和补偿 被引量:16
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作者 于湘涛 张兰 +2 位作者 郭琳瑞 周峰 于皓 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期95-98,共4页
针对环境温度影响加速度计测量精度的问题,给出了温度对石英挠性加速度计零偏和标度因数的影响机理,提出采用小波最小二乘支持向量回归建立石英挠性加速度计零偏和标度因数的温度模型的方法。为了验证模型的有效性,进行了多个温度点下... 针对环境温度影响加速度计测量精度的问题,给出了温度对石英挠性加速度计零偏和标度因数的影响机理,提出采用小波最小二乘支持向量回归建立石英挠性加速度计零偏和标度因数的温度模型的方法。为了验证模型的有效性,进行了多个温度点下的参数标定试验,所获取的各温度点下的石英挠性加速度计零偏和标度因数作为小波最小二乘支持向量机模型的训练数据;将石英挠性加速度计固定在某一位置进行了升温试验,通过对比未进行温度补偿、最小二乘温度补偿和小波最小二乘支持向量回归温度补偿下石英挠性加速度计的输出,计算结果表明采用小波最小二乘支持向量机补偿后的石英挠性加速度计的测量精度最高。 展开更多
关键词 石英挠性加速度计 小波最小二乘支持向量机 模型辨识 温度补偿
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MEMS结构中碳纳米管的电泳沉积及其场发射特性研究 被引量:1
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作者 郭琳瑞 陈烽 +3 位作者 叶雄英 刘力涛 伍康 周兆英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2340-2343,共4页
利用电泳沉积的方法在MEMS结构特定位置上组装碳纳米管薄膜,以此作为发射体研制基于碳纳米管场发射的传感器,并对其场发射进行了测试和分析.电镜观测与场发射实验结果表明,利用电泳沉积方法可以只在MEMS结构的特定位置沉积碳纳米管薄膜... 利用电泳沉积的方法在MEMS结构特定位置上组装碳纳米管薄膜,以此作为发射体研制基于碳纳米管场发射的传感器,并对其场发射进行了测试和分析.电镜观测与场发射实验结果表明,利用电泳沉积方法可以只在MEMS结构的特定位置沉积碳纳米管薄膜,对于4μm的发射间隙、该薄膜的场发射开启电压约为3.6V^4V,发射电压20V时的发射电流可至28μA.这种"post-MEMS"的碳纳米管薄膜组装方法具有工艺简单的特点,同时避免了碳纳米管生长对MEMS工艺环境以及器件的污染、破坏,实现了纳米材料组装与MEMS工艺的兼容. 展开更多
关键词 微机电系统(MEMS) 纳机电系统(NEMS) 碳纳米管 场发射
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碳纳米管在微机电系统(MEMS)中的应用研究 被引量:2
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作者 叶雄英 郭琳瑞 周兆英 《微细加工技术》 2004年第1期9-17,共9页
碳纳米管研究的不断发展为其与微机电系统(MEMS)的结合提供了可能,这种结合"Top-down"与"Bottom up"的方法是微米/纳米技术的一个发展趋势。介绍了碳纳米管的特性及其在MEMS上的潜在应用,综述了碳纳米管的制备方法... 碳纳米管研究的不断发展为其与微机电系统(MEMS)的结合提供了可能,这种结合"Top-down"与"Bottom up"的方法是微米/纳米技术的一个发展趋势。介绍了碳纳米管的特性及其在MEMS上的潜在应用,综述了碳纳米管的制备方法以及与MEMS技术的兼容性,列举了目前一些碳纳米管与MEMS结合研究的典型,并对其发展趋势进行了分析。 展开更多
关键词 碳纳米管 微机电系统 MEMS 纳机电系统 磁学性能 制备方法
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基于广义形态滤波的加速度计数据降噪方法
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作者 于湘涛 唐苗 +1 位作者 张兰 郭琳瑞 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期725-728,共4页
针对石英挠性加速度计自身的机械噪声和电路噪声以及环境噪声对有效信号影响的问题,提出了一种基于广义形态开闭和形态闭开组合的滤波器进行降噪、采用功率谱密度进行加速度计数据分析的方法。设计了加速度计数据采集方案,利用数据采集... 针对石英挠性加速度计自身的机械噪声和电路噪声以及环境噪声对有效信号影响的问题,提出了一种基于广义形态开闭和形态闭开组合的滤波器进行降噪、采用功率谱密度进行加速度计数据分析的方法。设计了加速度计数据采集方案,利用数据采集系统获取了加速度计测试数据,采用广义形态开闭滤波器和闭开滤波器的组合进行加速度计数据的降噪,采用Welch方法进行了数据的功率谱密度计算,计算结果表明降噪后数据的功率谱密度峰值在50 Hz及其奇倍频处明显,功率谱密度的总均方根值表明降噪前后相差3 dB,证明了降噪方法的有效性。 展开更多
关键词 石英挠性加速度计 降噪 广义形态滤波 频谱分析
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定向多壁碳纳米管薄膜及其场致发射距离敏感特性 被引量:1
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作者 郭琳瑞 叶雄英 +1 位作者 周兆英 梁吉 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1876-1879,共4页
研究了定向生长的多壁碳纳米管薄膜场致发射的距离敏感特性,以改进现有场发射传感器中硅及金属针尖的性能。化学气相沉积方法制备的多壁碳纳米管薄膜表现出良好的尖端放电特性,其开启电场可至1.42 V/μm,阈值电场可至2.22 V/μm,通过计... 研究了定向生长的多壁碳纳米管薄膜场致发射的距离敏感特性,以改进现有场发射传感器中硅及金属针尖的性能。化学气相沉积方法制备的多壁碳纳米管薄膜表现出良好的尖端放电特性,其开启电场可至1.42 V/μm,阈值电场可至2.22 V/μm,通过计算得到的尖端电场增强因子可至4 034以上。随着发射间距的增加,场致发射电流非线性地降低,发射电流对发射间距的最大变化率为0.018 8μA/μm。通过拟合分析发现,场致发射电流随发射间距的变化基本符合Fow ler-N ordhe im关系,该特性可作为碳纳米管场致发射传感器的基本原理用于位移的检测。 展开更多
关键词 微机电系统 传感器 场致发射 碳纳米管
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