剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明,低剂量率更易引起器件损伤。

星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究

本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60γ射线辐照试验研究。在γ射线辐照过程中,采用JT?1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平。

航天器DC／DC变换器的可靠性设计

卫星用DC／DC变换器的高可靠和长寿命，是确保其完成飞行使命的基本条件之一。但人们对DC／DC变换器可靠性的认识通常集中往元器件固有质量或产品组装工艺缺陷方面，往往忽略了系统设计（包括技术方案和电路拓扑设计、输入／输出接口设计、环境试验条件适应性设计等）缺陷和电压、电流和温度应力对可靠性的影响。

Droop法均流开关电源变换技术

对Droop法均流变换技术做了理论分析,建立了并联供电的热备份开关变换器的电路模型。

从国外典型SPT-PPU看其现状和发展趋势

文中介绍了静态等离子推力器(SPT)PPU的主要功能组成,着重分析了研发难度最大的阳极电源的国外研发现状,并对各国的电路拓扑进行了分析比较,最后展望了其未来发展的趋势。

空间电源功率调节技术综述

介绍了空间电源功率调节装置(PCU)的分流调节器(SR),蓄电池的充电控制器(BCR)、放电控制器(BDR)和主误差放大器(MEA)的原理和技术现状。阐述了顺序开关分流调节(S3R)、混合型调节和顺序开关分流串联调节(S4R)三种基本拓扑的工作原理,并对三者进行了性能比较,认为S4R是目前最先进的调节技术。讨论了功率调节装置模块化、智能化和小型化的发展趋势并分析了大功率的功率调节装置研制难点。

一种正激有源箝位驱动电路拓扑

采用有源箝位复位方式能够有效提高变换器的效率,然而箝位开关管的增加提高了控制电路的难度,文章中设计了一种简单的驱动电路,解决了开关管之间的延时问题,实验结果证实该方案有效提高了变换器的效率。

空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量辐射效应试验研究

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标。研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据。