离子注入诱导下制备薄的高弛豫SiGe

通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.

践行“两山”理念 建设美丽乡村——山西定襄凤凰山产业扶贫与乡村旅游融合发展

山西凤凰山农业生态旅游区，是山西省交通开发投资集团有限公司2002年响应省委、省政府整合大运高速公路经济带战略构想，跨领域、跨行业投资开发的山西首个具有复式旅游资源的产业扶贫项目。