基于水热法制备三氧化钼纳米片的人工突触器件

近年来,在神经形态电子中,能够模拟突触功能的人工突触器件的研发引起了广泛关注.本文利用水热法制备出高比表面积的基于MoO3纳米片的薄膜,并将其用于人工突触器件的制备,成功模拟了如:突触后兴奋电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、脉冲持续时间依赖可塑性(SDDP)、脉冲电压依赖可塑性(SVDP)及脉冲速率依赖可塑性(SRDP)等神经突触的重要功能.