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低温双极晶体管的低温1/f噪声
1
作者
李树荣
郭维蒹
+1 位作者
郑云光
严隽达
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期507-511,共5页
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量,结果表明:与室温相比1/f噪声显著增大.根据1/f噪声理论,并参照器件室温和低温下IB~VBE曲线的不同,认为在低温下EB结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器...
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量,结果表明:与室温相比1/f噪声显著增大.根据1/f噪声理论,并参照器件室温和低温下IB~VBE曲线的不同,认为在低温下EB结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件1/f噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因.
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关键词
1/f噪声
冻析效应
双极晶体管
低温
下载PDF
职称材料
题名
低温双极晶体管的低温1/f噪声
1
作者
李树荣
郭维蒹
郑云光
严隽达
机构
北京华北光电技术研究所
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期507-511,共5页
文摘
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量,结果表明:与室温相比1/f噪声显著增大.根据1/f噪声理论,并参照器件室温和低温下IB~VBE曲线的不同,认为在低温下EB结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件1/f噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因.
关键词
1/f噪声
冻析效应
双极晶体管
低温
Keywords
low-temperature transistor,1/f noise, freezeout effect
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温双极晶体管的低温1/f噪声
李树荣
郭维蒹
郑云光
严隽达
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994
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