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埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究 被引量:3
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作者 吴锦雷 郭翎健 吴全德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期842-848,共7页
超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求.本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究,讨论了时间传递扩展(TTS)和峰值响应时间(tM).超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加,薄膜... 超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求.本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究,讨论了时间传递扩展(TTS)和峰值响应时间(tM).超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加,薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高,但光电子的时间响应因增加而会变差.本文以Ag-O-CS薄膜为例,计算了不同情况下光电子从Ag超微粒子穿过Cs2O半导体层跃迁到真空的时间响应,得到该薄膜在1.06μm红外光作用下,光电子的时间响应约50fs. 展开更多
关键词 氧化铯薄膜 光电子 时间响应 超微粒子薄膜
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