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埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
被引量:
3
1
作者
吴锦雷
郭翎健
吴全德
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期842-848,共7页
超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求.本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究,讨论了时间传递扩展(TTS)和峰值响应时间(tM).超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加,薄膜...
超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求.本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究,讨论了时间传递扩展(TTS)和峰值响应时间(tM).超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加,薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高,但光电子的时间响应因增加而会变差.本文以Ag-O-CS薄膜为例,计算了不同情况下光电子从Ag超微粒子穿过Cs2O半导体层跃迁到真空的时间响应,得到该薄膜在1.06μm红外光作用下,光电子的时间响应约50fs.
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关键词
氧化铯薄膜
光电子
时间响应
银
超微粒子薄膜
下载PDF
职称材料
题名
埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
被引量:
3
1
作者
吴锦雷
郭翎健
吴全德
机构
北京大学无线电电子学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期842-848,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求.本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究,讨论了时间传递扩展(TTS)和峰值响应时间(tM).超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加,薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高,但光电子的时间响应因增加而会变差.本文以Ag-O-CS薄膜为例,计算了不同情况下光电子从Ag超微粒子穿过Cs2O半导体层跃迁到真空的时间响应,得到该薄膜在1.06μm红外光作用下,光电子的时间响应约50fs.
关键词
氧化铯薄膜
光电子
时间响应
银
超微粒子薄膜
Keywords
Cerium compounds
Films
Response time (computer systems)
Silver
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
吴锦雷
郭翎健
吴全德
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
3
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职称材料
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