Mg掺杂SiO_(x)负极材料的电化学性能研究

采用高温固相法合成Mg掺杂的锂离子电池SiO_(x)负极材料,并探究不同Mg掺杂量对SiO_(x)负极材料电化学性能的影响规律。结果表明,Mg掺杂量为15%(质量分数)的SiO_(x)负极材料具有更优异的首次库伦效率和循环性能,其首次库伦效率可达84.16%,循环100圈后仍具有初始容量的56.03%。适量的Mg掺杂能够消耗SiO_(2)相,生成电化学非活性相MgSiO_(3),抑制不可逆相硅酸锂和氧化锂的生成,从而提高SiO_(x)的电化学性能。

低成本二氧化硅源镁热还原制备锂离子电池多孔硅负极材料的研究进展

硅材料因其超高的理论比容量、较低的放电电压及锂离子扩散势垒,成为最有发展前景的高容量锂离子电池负极材料之一。然而,硅负极在充放电过程中会引起巨大的体积膨胀,严重影响其电化学性能。设计具有纳米尺寸和多孔结构的硅负极材料是实现高容量硅负极的有效途径。但目前大多数的制备方法通常工艺复杂、成本高、产率低,限制了其商业应用。因此,采用低成本的方法实现优异电化学性能的多孔纳米硅材料的大规模制备成为了关键。综述了低成本的二氧化硅源镁热还原制备锂离子电池纳米多孔硅负极材料的研究进展,并对硅负极材料未来的商业化应用进行了展望,将为低成本制备锂离子电池纳米多孔硅负极材料的研究提供有用的资料。

铁电极化内建电场作用下半导体光催化性能研究

铁电材料特有的自发极化能够产生极化内建电场。研究采用物理分散法将Ag_(2)O和CdS纳米颗粒负载于铁电LiNbO_(3)和玻璃基底表面,选择罗丹明B(RhB)作为代表性有机污染物,评价在不同基底表面的Ag_(2)O和CdS的光催化降解效率。结果表明,同一种半导体纳米颗粒在不同基底表面的光催化活性依次表现为LiNbO_(3)(+Z)>glass>LiNbO_(3)(-Z);在相同基底表面,Ag_(2)O比CdS表现出更优的光催化活性。基于铁电极化产生的半导体/铁电界面内建电场和光催化降解反应,提出了铁电极化影响半导体光催化降解性能的作用机制。