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少子MIS隧道结发射极晶体管场感应结模型
1
作者
宋玉兴
郭雏廉
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1995年第1期49-54,共6页
对少子MIS隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型。以此模型为基础,导出该器件的hFE与金属功函数及基区掺杂浓度的关系.所得结果与实验数据符合较好.
关键词
隧道结器件
场感应结
晶体管
MIS隧道结
下载PDF
职称材料
题名
少子MIS隧道结发射极晶体管场感应结模型
1
作者
宋玉兴
郭雏廉
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1995年第1期49-54,共6页
文摘
对少子MIS隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型。以此模型为基础,导出该器件的hFE与金属功函数及基区掺杂浓度的关系.所得结果与实验数据符合较好.
关键词
隧道结器件
场感应结
晶体管
MIS隧道结
Keywords
MIS tunnel junction devices. field induced junction, MIS tunnel heterojunction
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
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发文年
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1
少子MIS隧道结发射极晶体管场感应结模型
宋玉兴
郭雏廉
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1995
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