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雪崩光电器件过剩噪声分析
1
作者
张冰
郭雪凯
+3 位作者
胡从振
辛有泽
于善哲
雷述宇
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期1472-1478,共7页
基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器...
基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器件(器件结构由TCAD构造)的平均噪声因子水平:2.33@E=3.4×10^(5)V/cm和5.34@E=3.6×10^(5)V/cm,比单独考虑光子在N中性体区吸收(过剩噪声因子:2.88@E=3.4×10^(5)V/cm和12.94@E=3.6×10^(5)V/cm)或P中性体区吸收(过剩噪声因子:2.21@E=3.4×10^(5)V/cm和3.79@E=3.6×10^(5)V/cm),更能反映器件的真实工作情况。
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关键词
雪崩光电二级管
增益
雪崩倍增
过剩噪声
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职称材料
题名
雪崩光电器件过剩噪声分析
1
作者
张冰
郭雪凯
胡从振
辛有泽
于善哲
雷述宇
机构
西安交通大学微电子学院
宁波飞芯电子科技有限公司
北京大学微纳加工国家重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第11期1472-1478,共7页
基金
国家自然科学基金项目(No.61874085)和陕西省博士后项目资助。
文摘
基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器件(器件结构由TCAD构造)的平均噪声因子水平:2.33@E=3.4×10^(5)V/cm和5.34@E=3.6×10^(5)V/cm,比单独考虑光子在N中性体区吸收(过剩噪声因子:2.88@E=3.4×10^(5)V/cm和12.94@E=3.6×10^(5)V/cm)或P中性体区吸收(过剩噪声因子:2.21@E=3.4×10^(5)V/cm和3.79@E=3.6×10^(5)V/cm),更能反映器件的真实工作情况。
关键词
雪崩光电二级管
增益
雪崩倍增
过剩噪声
Keywords
avalanche photodiodes
gain
avalanche multiplication
excess noise
分类号
O475 [理学—半导体物理]
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
雪崩光电器件过剩噪声分析
张冰
郭雪凯
胡从振
辛有泽
于善哲
雷述宇
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
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